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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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E3M0120090J碳化硅MOSFET

型號： E3M0120090J

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 漏源電壓: 900V
  • 柵極 -源極電壓靜態(tài) -4/+15V
  • 柵極 -源極電壓動態(tài) -8/+19V
  • 脈沖漏極電流 50A
  • 功耗 83W
  • 工作結(jié)溫和存儲溫度 -55to +150?C
  • 焊接溫度 260?C

--- 產(chǎn)品詳情 ---

E3M0120090J通過推出 E 系列碳化硅 (SiC) MOSFET 擴展了其在碳化硅領(lǐng)域的領(lǐng)先地位；業(yè)內(nèi)首個汽車認(rèn)證；業(yè)界提供具有 PPAP 功能且防潮的 MOSFET。它采用 Wolfspeed 的第三代堅固技術(shù)；提供業(yè)界最低的開關(guān)損耗和最高的品質(zhì)因數(shù)。E 系列 MOSFET 針對用于 EV 電池充電器和高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器進行了優(yōu)化，并在 Wolfspeed 的6.6kW 雙向車載充電器參考設(shè)計中采用。

E3M0120090J


好處
? 降低開關(guān)損耗并最大限度地減少柵極振鈴
? 系統(tǒng)效率高
? 提高功率密度
? 提高系統(tǒng)開關(guān)頻率

特征
? 第三代 SiC MOSFET 技術(shù)
? 高阻斷電壓和低導(dǎo)通電阻
? 低電容的高速開關(guān)
? 具有低反向恢復(fù) (Qrr) 的快速本征二極管
? 無鹵素，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
? 漏極和源極之間的爬電距離寬 (~7mm)
? 符合汽車標(biāo)準(zhǔn) (AEC-Q101) 和 PPAP

應(yīng)用
? 電動汽車充電
? DC/DC 轉(zhuǎn)換器
? 開關(guān)電源
? UPS
? 太陽能光伏逆變器

相關(guān)型號
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