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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務 國產(chǎn)替代選型

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CGHV40030P 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

型號： CGHV40030P

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 操作頻率 高達 6 GHz
  • 典型輸出功率 30 W
  • 增益 16分貝
  • 應用電路 0.96 – 1.4 GHz
  • PSAT的效率 70%
  • 操作電壓 50 伏

--- 產(chǎn)品詳情 ---

CGHV40030 是無與倫比的；專為高效率而設計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力。該設備可部署為L；S 和 C 波段放大器應用。數(shù)據(jù)表規(guī)格基于 0.96 – 1.4 GHz 放大器。CGHV40030 在 50 伏導軌電路上運行，同時采用 2 引線法蘭或藥丸封裝。

CGHV40030P

 

特征
高達 6 GHz 的操作
30 W 典型輸出功率
16分貝增益
0.96 – 1.4 GHz 的應用電路
PSAT 70% 的效率
50 伏操作

應用
大號; S 和 C 波段放大器


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