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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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CMPA2060035D 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

型號： CMPA2060035D

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 小信號增益 28 dB
  • 典型 PSAT 35 W
  • 工作電壓高達 32 V
  • 耐壓性 高擊穿電壓
  • 耐高溫 高溫操作

--- 產(chǎn)品詳情 ---

CMPA2060035 是一種基于氮化鎵 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比具有優(yōu)越的性能；包括更高的擊穿電壓；更高的飽和電子漂移速度和更高的熱導(dǎo)率。與 Si 和 GaAs 晶體管相比，GaN HEMT 還提供更高的功率密度和更寬的帶寬。該 MMIC 包含兩級無功匹配放大器設(shè)計方法，可在小尺寸內(nèi)實現(xiàn)非常寬的帶寬。提供裸片和帶有銅鎢散熱器的旋入式封裝。

CMPA2060035D

 


特征
28 dB 小信號增益
35 W 典型 PSAT
工作電壓高達 32 V
高擊穿電壓
高溫操作

 

 

應(yīng)用
超寬帶驅(qū)動器
光纖驅(qū)動器
測試儀器
EMC 放大器驅(qū)動器

 

 

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