--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 測試周期: 2-3個月,提供全面的認(rèn)證計(jì)劃、測試等服務(wù)
- 產(chǎn)品范圍: 適用于MOSFET,Diode,IGBT,第三
--- 產(chǎn)品詳情 ---
服務(wù)介紹
功率半導(dǎo)體模塊是新能源汽車中的核心部件之一,目前絕大多市場份額為國際巨頭所壟斷,而國產(chǎn)功率模塊性能尚無法滿足汽車核心裝備應(yīng)用,主要原因之一是可靠性有待提升。
測試周期:
2-3個月,提供全面的認(rèn)證計(jì)劃、測試等服務(wù)
產(chǎn)品范圍:
適用于MOSFET,Diode,IGBT,第三代半導(dǎo)體器件等元件構(gòu)成的功率模塊。
測試項(xiàng)目:
序號 | 測試項(xiàng)目 | 縮寫 | 樣品數(shù)/批 | 測試方法 |
1 | Thermal shock test | TST | 6 | IEC 60749-25 |
2 | Vibration | V | 6 | DIN EN 60068-2-6 |
3 | Mechanical shock | MS | 6 | DIN EN 60068-2-27 |
4 | Power cycling | PCsec | 6 | IEC 60749-34 |
5 | Power cycle | PCmin | 6 | IEC 60749-34 |
6 | High-temperature storage | HTS | 6 | IEC 60749-6 |
7 | Low-temperature storage | LTS | 6 | JEDEC JESD-22 A119 |
8 | High-temperature reverse bias | HTRB | 6 | IEC 60747-9 |
9 | High-temperature gate bias | HTGB | 6 | IEC 60747-9 |
10 | High-humidity, high-temperature reverse bias | H3TRB | 6 | IEC 60749-5 |
11 | Determining parasitic stray inductance | Lp | 6 | IEC 60747-15 |
12 | Determining thermal resistance | Rth | 6 | DIN EN 60747-15 |
13 | Determining short-circuit capability | / | 6 | / |
14 | Insulation test | / | 6 | / |
15 | Determining mechanical data | / | 6 | / |
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