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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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CEH2609-VB一款2個(gè)N+P—Channel溝道SOT23-6的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): CEH2609-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT23-6封裝
  • 溝道 2個(gè)N+P—Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
CEH2609-VB是VBsemi品牌的雙通道(N+P)溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管,適用于多種電路設(shè)計(jì)。該晶體管具有±20V的耐壓能力和7A(N溝道)/4.5A(P溝道)的電流承受能力。其關(guān)鍵參數(shù)包括RDS(ON)=20mΩ(N溝道)/70mΩ(P溝道)@VGS=4.5V,VGS=20V,以及閾值電壓Vth分別為0.71V(N溝道)和-0.81V(P溝道)。封裝為SOT23-6,便于表面貼裝,適用于各種緊湊型電路設(shè)計(jì)。

詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:
- 品牌: VBsemi
- 型號(hào): CEH2609-VB
- 絲印: VB5222
- 溝道類(lèi)型: 2個(gè)N+P—Channel
- 耐壓: ±20V
- 電流承受能力: 7A(N溝道)/4.5A(P溝道)
- RDS(ON): 20mΩ(N溝道)/70mΩ(P溝道) @ VGS=4.5V
- 閾值電壓(Vth): 0.71V(N溝道) / -0.81V(P溝道)
- 封裝: SOT23-6

應(yīng)用領(lǐng)域及模塊示例:
CEH2609-VB適用于各種需要N溝道和P溝道晶體管的電路設(shè)計(jì),包括但不限于:
1. 電源管理模塊:用于電池保護(hù)、充放電控制等功能,如便攜式電子設(shè)備、充電寶等。
2. 電源開(kāi)關(guān)模塊:適用于功率開(kāi)關(guān)模塊,如開(kāi)關(guān)電源、逆變器等,用于電源管理和功率控制。
3. 電流控制器:用于工業(yè)控制系統(tǒng)中的電流控制和電流限制,如用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、機(jī)器人等。
4. 信號(hào)放大器:適用于信號(hào)放大和信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路,如用于音頻放大器、信號(hào)放大器等。
5. 電源逆變器:在太陽(yáng)能和風(fēng)能等可再生能源電源系統(tǒng)中,可用作逆變器的開(kāi)關(guān)元件,將直流電轉(zhuǎn)換為交流電。

通過(guò)以上示例,可以看出CEH2609-VB適用于多個(gè)領(lǐng)域和模塊,包括電源管理、電源開(kāi)關(guān)、工業(yè)控制、信號(hào)處理和電源逆變器等。

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