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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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HUFA75329D3ST-VB一款N—Channel溝道TO252的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: HUFA75329D3ST-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 TO252封裝
  • 溝道 N—Channel

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

一、產品簡介:
HUFA75329D3ST-VB是VBsemi生產的N溝道場效應管,具有60V的漏極-源極電壓額定值,能夠承受最大45A的電流。其特點包括低導通電阻(RDS(ON))為24mΩ,在VGS=10V和VGS=20V時。門壓閾值(Vth)為1.8V。該器件采用TO252封裝,適用于各種應用場合。

二、詳細參數說明:
- 最大漏極-源極電壓(VDSS):60V
- 最大連續(xù)漏極電流(ID):45A
- 靜態(tài)漏極-源極電阻(RDS(ON)):24mΩ(在VGS=10V時)
- 端口-源極電壓(VGS):±20V
- 門壓閾值(Vth):1.8V

三、適用領域和模塊示例:
1. 電源管理模塊:由于其較高的漏極-源極電壓和電流承受能力,HUFA75329D3ST-VB適用于電源開關模塊和電源管理系統,用于實現高效率和高功率密度的能量轉換。
2. 電動汽車控制器:在電動汽車的電機控制器中,該器件可用作功率開關元件,用于控制電機的啟停和轉速,提高電動汽車的效率和性能。
3. 工業(yè)自動化設備:在工業(yè)自動化設備中,HUFA75329D3ST-VB可用于開關電路和電源管理,實現精確的控制和高效的能量轉換,用于提高生產效率和降低能源消耗。

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