電容-電壓(C-V)測量廣泛用于測量半導體參數(shù)，尤其是MOS CAP和MOSFET結(jié)構(gòu)。MOS(金屬-氧化物-半導體)結(jié)構(gòu)的電容是外加電壓的函數(shù)，MOS電容隨外加電壓變化的曲線稱之為C-V曲線（簡稱C-V特性），C-V 曲線測試可以方便的確定二氧化硅層厚度dox、襯底摻雜濃度N、氧化層中可動電荷面密度Q1、和固定電荷面密度Qfc等參數(shù)。
● 頻率范圍寬：頻率范圍10Hz~1MHz連續(xù)頻率點可調(diào)
● 高精度、大動態(tài)范圍：提供0V~3500V偏壓范圍，精度0.1%
● 內(nèi)置CV測試：內(nèi)置自動化CV測試軟件，包含C-V（電容- 電壓），C-T（電容- 時間），C-F（電容 - 頻率）等多項測試測試功能
● 兼容IV測試：同時支持擊穿特性以及漏電流特性測試
● 實時曲線繪制：軟件界面直觀展示項目測試數(shù)據(jù)及曲線，便于監(jiān)控
● 擴展性強：系統(tǒng)采用模塊化設計，可根據(jù)需求靈活搭配
軟件界面及功能
