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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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J317NYTL-E-VB一款P—Channel溝道SOT89-3的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): J317NYTL-E-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT89-3封裝
  • 溝道 P—Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
J317NYTL-E-VB 是 VBsemi 公司生產(chǎn)的 P-Channel 溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管,具有-30V的漏極-源極電壓承受能力和-5.8A的漏極電流。采用 SOT89-3 封裝。該器件適用于低壓功率控制電路,提供可靠性和性能優(yōu)勢(shì),適用于各種電子設(shè)備的設(shè)計(jì)。

詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:
- 溝道類(lèi)型:P-Channel
- 最大漏極-源極電壓:-30V
- 最大漏極電流:-5.8A
- 靜態(tài)漏極-源極電阻 (RDS(ON)):50mΩ(在VGS=10V,VGS=20V時(shí))
- 閾值電壓 (Vth):-0.6V 至 -2V

應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例:

1. 低功率電源管理模塊:J317NYTL-E-VB 適用于各種低功率電源管理模塊,如便攜式設(shè)備充電管理、電池保護(hù)電路等。其優(yōu)異的性能特性可以確保在這些應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高效率和穩(wěn)定性。

2. 信號(hào)開(kāi)關(guān):在各種信號(hào)開(kāi)關(guān)電路中,J317NYTL-E-VB 可以作為信號(hào)開(kāi)關(guān)器件使用。其低漏極電阻和低閾值電壓使其能夠在低功率條件下實(shí)現(xiàn)可靠的信號(hào)控制功能。

3. 便攜式電子設(shè)備:J317NYTL-E-VB 可以應(yīng)用于各種便攜式電子設(shè)備,如智能手機(jī)、平板電腦等的電源管理和信號(hào)控制電路中,以提高電池續(xù)航時(shí)間和系統(tǒng)效率。

4. 電池保護(hù)電路:在電池保護(hù)電路中,J317NYTL-E-VB 可以作為過(guò)充、過(guò)放保護(hù)器件使用。其性能能夠確保電池在充放電過(guò)程中安全可靠。

以上示例展示了 J317NYTL-E-VB 在各種低功率電子設(shè)備和電路中的廣泛應(yīng)用,為設(shè)計(jì)者提供了靈活可靠的解決方案。

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