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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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SI3586DV-T1-E3-VB一種2個(gè)N+P—Channel溝道SOT23-6封裝MOS管

型號(hào): SI3586DV-T1-E3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT23-6封裝
  • 溝道 2個(gè)N+P—Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**產(chǎn)品簡(jiǎn)介:**
SI3586DV-T1-E3-VB是VBsemi品牌的雙通道場(chǎng)效應(yīng)晶體管,其中包括兩個(gè)N溝道和P溝道。該晶體管適用于需要對(duì)正負(fù)電壓進(jìn)行控制的電子應(yīng)用,采用SOT23-6封裝,體積小巧,適合于小型電路板應(yīng)用。具有±20V的正負(fù)漏極-源極電壓承受能力,正溝道溝道中的漏極電流承受能力為7A,負(fù)溝道溝道中的漏極電流承受能力為4.5A。在正溝道中,當(dāng)柵極-源極電壓為4.5V時(shí),其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為20mΩ;在負(fù)溝道中,導(dǎo)通電阻為70mΩ。閾值電壓(Vth)分別為0.71V和-0.81V。

**詳細(xì)參數(shù)說明:**
- 正負(fù)漏極-源極電壓承受能力:±20V
- 正溝道漏極電流承受能力:7A
- 負(fù)溝道漏極電流承受能力:-4.5A
- 正溝道導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):
 - VGS=4.5V時(shí):20mΩ
 - VGS=20V時(shí):20mΩ
- 負(fù)溝道導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):
 - VGS=4.5V時(shí):70mΩ
 - VGS=20V時(shí):70mΩ
- 正溝道閾值電壓(Vth):0.71V
- 負(fù)溝道閾值電壓(Vth):-0.81V
- 封裝類型:SOT23-6
- 品牌:VBsemi

**適用領(lǐng)域和模塊示例:**
1. **功率逆變器:** SI3586DV-T1-E3-VB可用于功率逆變器電路中,實(shí)現(xiàn)對(duì)正負(fù)電壓的快速開關(guān)控制,例如太陽能逆變器、電動(dòng)汽車逆變器等。

2. **電源管理:** 在電源管理系統(tǒng)中,SI3586DV-T1-E3-VB可用于電源開關(guān)和功率調(diào)節(jié)電路中,實(shí)現(xiàn)對(duì)不同電壓的精確調(diào)節(jié),例如開關(guān)電源、電池充放電管理等。

3. **電機(jī)驅(qū)動(dòng):** 在工業(yè)自動(dòng)化和機(jī)器人領(lǐng)域,SI3586DV-T1-E3-VB可用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)器電路中,實(shí)現(xiàn)對(duì)電機(jī)的高效控制和調(diào)節(jié),例如步進(jìn)電機(jī)控制器、直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等。

4. **電池保護(hù):** 在移動(dòng)設(shè)備和便攜式電子產(chǎn)品中,SI3586DV-T1-E3-VB可用于電池保護(hù)電路中,保護(hù)電池免受過充、過放和短路等問題,例如電池保護(hù)板、智能手機(jī)電池管理系統(tǒng)等。

通過以上示例,可以看出SI3586DV-T1-E3-VB晶體管在功率逆變、電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電池保護(hù)等領(lǐng)域都具有重要應(yīng)用價(jià)值,能夠提高系統(tǒng)的效率和可靠性。

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