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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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SI3588DV-T1-GE3-VB一款2個(gè)N+P—Channel溝道SOT23-6的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): SI3588DV-T1-GE3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT23-6封裝
  • 溝道 2個(gè)N+P—Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**產(chǎn)品簡(jiǎn)介:**
SI3588DV-T1-GE3-VB是VBsemi品牌的雙通道MOSFET,具有兩個(gè)N-Channel和兩個(gè)P-Channel溝道。它能夠在寬廣的電壓范圍內(nèi)提供可靠的功率控制和管理,適用于多種電路設(shè)計(jì)。該器件采用SOT23-6封裝,適用于空間受限的應(yīng)用場(chǎng)景。

**詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:**
- 通道類型:2個(gè)N-Channel溝道,2個(gè)P-Channel溝道
- 額定電壓(VDS):±20V
- 額定電流(ID):
 - N-Channel:7A
 - P-Channel:-4.5A
- 導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):
 - N-Channel:20mΩ @ VGS=4.5V
 - P-Channel:70mΩ @ VGS=4.5V
- 門極電壓(VGS):20V
- 門極閾值電壓(Vth):
 - N-Channel:0.71V
 - P-Channel:-0.81V
- 封裝類型:SOT23-6

**適用領(lǐng)域和模塊:**
SI3588DV-T1-GE3-VB適用于多種領(lǐng)域和模塊,以下是幾個(gè)典型的應(yīng)用示例:

1. **功率管理模塊**:該器件的雙通道設(shè)計(jì)使其非常適合用于功率開(kāi)關(guān)和功率管理,可用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、AC-DC轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用中。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)器**:SI3588DV-T1-GE3-VB可用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,包括直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)、步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)等,適用于工業(yè)自動(dòng)化、汽車電子等領(lǐng)域。

3. **電源選擇開(kāi)關(guān)**:由于器件包含N-Channel和P-Channel溝道,可用作電源選擇開(kāi)關(guān),實(shí)現(xiàn)電路中不同電源的切換功能,例如電池供電和外部電源供電之間的切換。

4. **電池管理系統(tǒng)**:在電池充放電管理系統(tǒng)中,SI3588DV-T1-GE3-VB可用于充電和放電控制,幫助實(shí)現(xiàn)電池充電、放電過(guò)程中的電流和電壓管理。

綜上所述,SI3588DV-T1-GE3-VB適用于功率管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源選擇和電池管理等領(lǐng)域,在各種電子產(chǎn)品中發(fā)揮重要作用,提供高效、可靠的功率控制和管理功能。

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