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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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SPC6605ST6RG-VB一款2個N+P—Channel溝道SOT23-6的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明

型號: SPC6605ST6RG-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT23-6封裝
  • 溝道 2個N+P—Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**VBsemi N+P-Channel MOSFET SPC6605ST6RG-VB**

- **絲?。?* VB5222
- **品牌:** VBsemi
- **參數(shù):**
 - 2個N+P—Channel溝道
 - 額定電壓:±20V
 - 額定電流:7A(N-Channel) / 4.5A(P-Channel)
 - 導通電阻(RDS(ON)):20mΩ(N-Channel) / 70mΩ(P-Channel)@ VGS=4.5V
 - 閾值電壓(Vth):0.71V(N-Channel) / -0.81V(P-Channel)
- **封裝:** SOT23-6

**產(chǎn)品簡介:**

SPC6605ST6RG-VB是一款雙通道(N+P-Channel)MOSFET,由VBsemi生產(chǎn)。它結(jié)合了N-Channel和P-Channel的優(yōu)點,具有高額定電壓、高電流容量和低導通電阻的特點,適用于各種功率電路設計。

**詳細參數(shù)說明:**

1. **額定電壓(VDS):** ±20V的額定電壓使得該MOSFET適用于雙極性電路設計,能夠處理正負電壓信號。

2. **額定電流(ID):** N-Channel溝道支持7A的電流,P-Channel溝道支持4.5A的電流,提供了較高的功率處理能力。

3. **導通電阻(RDS(ON)):** 在VGS=4.5V時,N-Channel溝道的導通電阻為20mΩ,P-Channel溝道的導通電阻為70mΩ,這有助于降低導通損耗,提高效率。

4. **閾值電壓(Vth):** N-Channel溝道的閾值電壓為0.71V,P-Channel溝道的閾值電壓為-0.81V,使得器件易于控制和驅(qū)動。

**適用領域和模塊舉例:**

1. **功率放大器:** 由于具有雙通道設計,可用于功率放大器的輸入和輸出級,以實現(xiàn)雙極性信號放大。

2. **電源管理:** 可用于雙極性電源管理模塊,如電池管理系統(tǒng)和雙極性穩(wěn)壓器。

3. **電機驅(qū)動:** 適用于雙電源電機驅(qū)動器,如雙電源電機控制器和雙電源電機驅(qū)動模塊。

綜上所述,SPC6605ST6RG-VB是一款高性能的雙通道MOSFET,適用于多種領域,包括功率放大器、電源管理和電機驅(qū)動等。

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