--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOT23-6封裝
- 溝道 2個N+P—Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
**VBsemi N+P-Channel MOSFET SPC6605ST6RG-VB**
- **絲?。?* VB5222
- **品牌:** VBsemi
- **參數(shù):**
- 2個N+P—Channel溝道
- 額定電壓:±20V
- 額定電流:7A(N-Channel) / 4.5A(P-Channel)
- 導通電阻(RDS(ON)):20mΩ(N-Channel) / 70mΩ(P-Channel)@ VGS=4.5V
- 閾值電壓(Vth):0.71V(N-Channel) / -0.81V(P-Channel)
- **封裝:** SOT23-6

**產(chǎn)品簡介:**
SPC6605ST6RG-VB是一款雙通道(N+P-Channel)MOSFET,由VBsemi生產(chǎn)。它結(jié)合了N-Channel和P-Channel的優(yōu)點,具有高額定電壓、高電流容量和低導通電阻的特點,適用于各種功率電路設計。
**詳細參數(shù)說明:**
1. **額定電壓(VDS):** ±20V的額定電壓使得該MOSFET適用于雙極性電路設計,能夠處理正負電壓信號。
2. **額定電流(ID):** N-Channel溝道支持7A的電流,P-Channel溝道支持4.5A的電流,提供了較高的功率處理能力。
3. **導通電阻(RDS(ON)):** 在VGS=4.5V時,N-Channel溝道的導通電阻為20mΩ,P-Channel溝道的導通電阻為70mΩ,這有助于降低導通損耗,提高效率。
4. **閾值電壓(Vth):** N-Channel溝道的閾值電壓為0.71V,P-Channel溝道的閾值電壓為-0.81V,使得器件易于控制和驅(qū)動。
**適用領域和模塊舉例:**
1. **功率放大器:** 由于具有雙通道設計,可用于功率放大器的輸入和輸出級,以實現(xiàn)雙極性信號放大。
2. **電源管理:** 可用于雙極性電源管理模塊,如電池管理系統(tǒng)和雙極性穩(wěn)壓器。
3. **電機驅(qū)動:** 適用于雙電源電機驅(qū)動器,如雙電源電機控制器和雙電源電機驅(qū)動模塊。
綜上所述,SPC6605ST6RG-VB是一款高性能的雙通道MOSFET,適用于多種領域,包括功率放大器、電源管理和電機驅(qū)動等。
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