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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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SUD50P04-23-GE3-VB一款P—Channel溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: SUD50P04-23-GE3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252封裝
  • 溝道 P—Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介:

SUD50P04-23-GE3-VB是VBsemi品牌生產(chǎn)的P溝道場效應(yīng)管,適用于各種功率電子應(yīng)用。它具有-40V的漏極-源極電壓承受能力和-65A的漏極電流承受能力,是一款高性能的功率器件。其絲印為VBE2412,封裝為TO252。

### 參數(shù)說明:

- **漏極-源極電壓(VDS)**:-40V
- **漏極電流(ID)**:-65A
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:10mΩ @ VGS=10V
- **閾值電壓(Vth)**:-1.6V
- **封裝類型**:TO252

### 詳細參數(shù)說明:

1. **漏極-源極電壓(VDS)**:指定了器件在導(dǎo)通狀態(tài)下能夠承受的最大電壓。對于SUD50P04-23-GE3-VB,這個值為-40V。
 
2. **漏極電流(ID)**:定義了器件在導(dǎo)通狀態(tài)下能夠通過的最大電流。該型號的SUD50P04-23-GE3-VB可承受高達-65A的漏極電流。

3. **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:描述了器件在導(dǎo)通狀態(tài)下的電阻大小,直接影響功率損耗和效率。在VGS=10V時,SUD50P04-23-GE3-VB的導(dǎo)通電阻為10mΩ。

4. **閾值電壓(Vth)**:指定了溝道導(dǎo)通所需的門極-源極電壓。SUD50P04-23-GE3-VB的閾值電壓為-1.6V。

### 適用領(lǐng)域和模塊舉例:

1. **電源管理模塊**:SUD50P04-23-GE3-VB可用于開關(guān)電源和逆變器模塊,以實現(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電流調(diào)節(jié)。
 
2. **電機驅(qū)動器**:在工業(yè)自動化和機器人領(lǐng)域,該器件可以應(yīng)用于電機控制模塊,確保電機運行的穩(wěn)定性和效率。

3. **電池管理系統(tǒng)**:在電池充放電控制和保護中,SUD50P04-23-GE3-VB可以用于確保電池操作在安全的電流和電壓范圍內(nèi)。

4. **電源開關(guān)**:該器件可用于電源開關(guān)模塊中,實現(xiàn)對電路的快速開關(guān)和調(diào)節(jié),用于各種便攜式設(shè)備和家用電器。

5. **汽車電子**:適用于汽車電子系統(tǒng),如電動汽車的電池管理和驅(qū)動控制,以提高車輛的性能和效率。

綜上所述,SUD50P04-23-GE3-VB在電源管理、電機驅(qū)動、電池保護、電源開關(guān)和汽車電子等領(lǐng)域和模塊中都有廣泛的應(yīng)用。

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