VBsemi的048N06L-VB是一款TO263封裝的單N溝道MOSFET。它具有60V的漏極-源極電壓（VDS）、20V（±V）的門極-源極電壓（VGS）、3V的閾值電壓（Vth）、在VGS=10V時的4mΩ的導通電阻（RDS(ON)）、以及150A的漏極電流（ID）。該產品采用Trench工藝。
**產品簡介：**
VBsemi的048N06L-VB是一款高性能的單N溝道MOSFET，適用于多種領域和模塊。它具有低阻抗、高漏極電流和可靠性強的特點，適用于要求高功率密度和高效率的應用場合。
**詳細參數(shù)說明：**
- 封裝：TO263
- 類型：單N溝道
- 漏極-源極電壓（VDS）：60V
- 門極-源極電壓（VGS）：20V（±V）
- 閾值電壓（Vth）：3V
- 導通電阻（RDS(ON)）：4mΩ @ VGS=10V
- 漏極電流（ID）：150A
- 工藝：Trench
**應用領域和模塊示例：**
1. **電源模塊**：048N06L-VB適用于高功率電源模塊，如服務器電源、工控電源等，可提供高效率和可靠性。
2. **電動工具**：在電動工具中，048N06L-VB可以作為電機驅動器，提供高功率輸出和響應速度。
3. **汽車電子**：在汽車電子系統(tǒng)中，048N06L-VB可用于電動汽車的動力電池管理系統(tǒng)，具有低導通電阻和高電流容載特性。
4. **工業(yè)控制**：在工業(yè)控制領域，048N06L-VB適用于各種類型的電機控制器和功率逆變器，提供高效率和可靠性。
5. **LED照明**：在LED照明系統(tǒng)中，048N06L-VB可用作LED驅動器，提供高效率的電能轉換和穩(wěn)定的電流輸出。
這些是048N06L-VB的一些典型應用場景，但并不限于此，具體應用取決于設計要求和環(huán)境條件。
