### 產(chǎn)品簡介：

VBsemi的SMG049NE7N-VB是一款TO263封裝的單通道N溝道MOSFET，具有80V的漏極-源極電壓（VDS），20V的柵極-源極電壓（VGS，正負）和3V的閾值電壓（Vth）。該器件采用溝道工藝，具有在VGS=4.5V時RDS(ON)為10mΩ和在VGS=10V時RDS(ON)為6mΩ的低導通電阻。其最大漏極電流（ID）為120A。

### 參數(shù)說明：

- **器件類型**：單通道N溝道MOSFET
- **封裝**：TO263
- **VDS（漏極-源極電壓）**：80V
- **VGS（柵極-源極電壓）**：±20V
- **閾值電壓（Vth）**：3V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：10mΩ @ VGS=4.5V, 6mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流（ID）**：120A
- **工藝**：溝道

### 適用領域和模塊舉例：

1. **電源管理模塊**：由于其高漏極電壓和低導通電阻，SMG049NE7N-VB適用于電源管理模塊，如開關電源和直流-直流轉(zhuǎn)換器，可提供高效的電源控制。
2. **電機驅(qū)動模塊**：在電機控制方面，這款MOSFET可用于驅(qū)動直流電機，如電動汽車中的電機驅(qū)動器，提供高效的電能轉(zhuǎn)換和電機控制。
3. **照明模塊**：在LED照明應用中，SMG049NE7N-VB可用于開關電源，控制LED的亮度和電流，實現(xiàn)節(jié)能和可調(diào)光效果。
4. **汽車電子模塊**：由于其高電壓和電流特性，該器件也適用于汽車電子模塊，如電動汽車中的電動驅(qū)動器和電池管理系統(tǒng)，提供高效的電能管理和控制。

以上是對SMG049NE7N-VB的產(chǎn)品簡介、詳細參數(shù)說明以及適用領域和模塊的舉例說明。