### 1. 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
VBsemi的04N50C3-VB是一款單通道N溝道MOSFET，采用平面技術(shù)，適用于高達(dá)500V的高壓工作環(huán)境。它具有較高的閾值電壓和導(dǎo)通電阻，適合在需要承受高電壓和低功率損耗的電路中使用。

### 2. 參數(shù)說(shuō)明
- **封裝**：TO220
- **VDS**：500V
- **VGS**：30V（±）
- **閾值電壓**：3.1V
- **導(dǎo)通電阻**：660mΩ @ VGS=10V
- **最大電流**：13A

### 3. 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
- **開(kāi)關(guān)電源模塊**：由于其高耐壓特性和適中的電流承載能力，04N50C3-VB適用于開(kāi)關(guān)電源的開(kāi)關(guān)部分。例如，它可以用于逆變器、電源轉(zhuǎn)換器等電源管理模塊中。
- **照明應(yīng)用**：在需要高耐壓的LED照明驅(qū)動(dòng)器中，04N50C3-VB可以作為開(kāi)關(guān)器件使用，以實(shí)現(xiàn)高效率的照明控制。
- **電動(dòng)汽車充電器**：這款MOSFET也可以用于電動(dòng)汽車充電器中，以實(shí)現(xiàn)高效能和高耐壓的充電解決方案。

這些示例說(shuō)明了04N50C3-VB在高壓、低功率損耗電路中的適用性，顯示了其在多種領(lǐng)域和模塊中的廣泛應(yīng)用潛力。