### 產(chǎn)品簡介：

VBsemi的04N50C3-VB是一款TO220F封裝的單通道N溝道MOSFET，具有650V的漏極-源極電壓（VDS），30V的柵極-源極電壓（VGS，正負）和3.5V的閾值電壓（Vth）。該器件采用平面工藝，具有在VGS=10V時RDS(ON)為830mΩ的導(dǎo)通電阻。其最大漏極電流（ID）為10A。

### 參數(shù)說明：

- **器件類型**：單通道N溝道MOSFET
- **封裝**：TO220F
- **VDS（漏極-源極電壓）**：650V
- **VGS（柵極-源極電壓）**：±30V
- **閾值電壓（Vth）**：3.5V
- **導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）**：830mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流（ID）**：10A
- **工藝**：平面

### 適用領(lǐng)域和模塊舉例：

1. **電源逆變器模塊**：由于其高漏極電壓和相對較低的導(dǎo)通電阻，04N50C3-VB適用于電源逆變器模塊，如太陽能逆變器和工業(yè)電源，提供可靠的電能轉(zhuǎn)換和控制。
2. **電動汽車充電樁模塊**：在電動汽車充電樁中，這款MOSFET可用于控制充電樁的電能輸出，實現(xiàn)高效、安全的電動汽車充電。
3. **工業(yè)控制模塊**：在工業(yè)控制系統(tǒng)中，04N50C3-VB可用于控制各種電機和裝置，提供高效的電能管理和控制。
4. **電源開關(guān)模塊**：作為電源開關(guān)器件，該MOSFET可用于各種電源開關(guān)應(yīng)用，如開關(guān)電源和電源管理系統(tǒng)，實現(xiàn)高效的電源控制和管理。

以上是對04N50C3-VB的產(chǎn)品簡介、詳細參數(shù)說明以及適用領(lǐng)域和模塊的舉例說明。