### 1. 產(chǎn)品簡介
VBsemi的04N80C3-VB是一款單通道N溝道MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技術(shù)，適用于高達800V的高壓工作環(huán)境。它具有較高的閾值電壓和導通電阻，適合在需要承受高電壓和低功率損耗的電路中使用。

### 2. 參數(shù)說明
- **封裝**：TO252
- **VDS**：800V
- **VGS**：30V（±）
- **閾值電壓**：3.5V
- **導通電阻**：1100mΩ @ VGS=10V
- **最大電流**：5A

### 3. 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
- **電源管理模塊**：由于其高耐壓特性和適中的電流承載能力，04N80C3-VB適用于開關(guān)電源的開關(guān)部分。例如，它可以用于逆變器、電源轉(zhuǎn)換器等電源管理模塊中。
- **照明應(yīng)用**：在需要高耐壓的LED照明驅(qū)動器中，04N80C3-VB可以作為開關(guān)器件使用，以實現(xiàn)高效率的照明控制。
- **電動汽車充電器**：這款MOSFET也可以用于電動汽車充電器中，以實現(xiàn)高效能和高耐壓的充電解決方案。

這些示例說明了04N80C3-VB在高壓、低功率損耗電路中的適用性，顯示了其在多種領(lǐng)域和模塊中的廣泛應(yīng)用潛力。