以下是VBsemi公司的MOSFET產(chǎn)品05N50I-VB的詳細(xì)信息：

1. 產(chǎn)品簡介：

  05N50I-VB是一款單N溝道（Single-N-Channel）MOSFET，采用Plannar技術(shù)制造，適用于各種領(lǐng)域和模塊的電路設(shè)計(jì)。其主要特點(diǎn)包括650V的漏極-源極電壓（VDS）、30V的柵極-源極電壓（VGS）、3.5V的閾值電壓（Vth）、1100mΩ@VGS=10V的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）、以及7A的漏極電流（ID）。

2. 參數(shù)說明：

  - 型號：05N50I-VB
  - 封裝：TO220F
  - 極性：N溝道
  - 漏極-源極電壓（VDS）：650V
  - 柵極-源極電壓（VGS）：±30V
  - 閾值電壓（Vth）：3.5V
  - 導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：1100mΩ@VGS=10V
  - 漏極電流（ID）：7A
  - 技術(shù)：Plannar

3. 應(yīng)用舉例：

  05N50I-VB適用于多種領(lǐng)域和模塊，例如：

  - 電源管理：適用于中低功率的開關(guān)電源和穩(wěn)壓器。
  - 照明應(yīng)用：用于LED照明系統(tǒng)中的功率開關(guān)。
  - 工業(yè)控制：適用于工業(yè)自動化和機(jī)器人控制等領(lǐng)域的中低功率開關(guān)。
  - 電動車輛：用于電動車輛中的電機(jī)控制和電源管理。

以上是05N50I-VB MOSFET產(chǎn)品的詳細(xì)信息及其適用領(lǐng)域和模塊的舉例說明。