### 產(chǎn)品簡介：
VBsemi的06CN10N-VB是一款高性能的N溝道MOSFET，采用TO263封裝。該器件工作電壓（VDS）為100V，最大允許門源電壓（VGS）為20V（絕對值），閾值電壓（Vth）為3V。在VGS為10V時，導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為4mΩ，最大漏極電流（ID）為140A。采用了Trench工藝，具有優(yōu)異的性能和可靠性。
### 參數(shù)說明：
- **封裝類型**：TO263
- **通道類型**：單N溝道
- **工作電壓（VDS）**：100V
- **最大允許門源電壓（VGS）**：20V（絕對值）
- **閾值電壓（Vth）**：3V
- **導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）**：4mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流（ID）**：140A
- **技術(shù)**：Trench
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例：
1. **電源模塊**：06CN10N-VB適用于高功率電源模塊，如開關(guān)電源和逆變器，因為其低導(dǎo)通電阻和高漏極電流能力使其能夠有效地處理高功率應(yīng)用。
2. **電動汽車**：在電動汽車的電機驅(qū)動器中，這種MOSFET可用于電機控制和電池管理系統(tǒng)，提供高效能量轉(zhuǎn)換和高性能。
3. **工業(yè)控制**：在工業(yè)自動化和控制系統(tǒng)中，這種MOSFET可用于各種高功率應(yīng)用，如電機驅(qū)動和變頻器。
4. **電池管理**：在電動工具和便攜式設(shè)備中，這種MOSFET可用于電池充放電控制器，確保高效能量管理和充電控制。
這些只是一些示例，實際應(yīng)用取決于具體設(shè)計和系統(tǒng)要求。
