### 產品簡介：

VBsemi的072N10N-VB是一款TO262封裝的單通道N溝道MOSFET，具有100V的漏極-源極電壓（VDS），20V的柵極-源極電壓（VGS，正負）和2.5V的閾值電壓（Vth）。該器件采用溝道工藝，具有在VGS=4.5V時RDS(ON)為10mΩ和在VGS=10V時RDS(ON)為9mΩ的低導通電阻。其最大漏極電流（ID）為100A。

### 參數說明：

- **器件類型**：單通道N溝道MOSFET
- **封裝**：TO262
- **VDS（漏極-源極電壓）**：100V
- **VGS（柵極-源極電壓）**：±20V
- **閾值電壓（Vth）**：2.5V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：10mΩ @ VGS=4.5V, 9mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流（ID）**：100A
- **工藝**：溝道

### 適用領域和模塊舉例：

1. **電源管理模塊**：由于其較高的漏極電壓和低導通電阻，072N10N-VB適用于電源管理模塊，如開關電源和直流-直流轉換器，提供高效的電源控制。
2. **電動汽車充電模塊**：在電動汽車充電系統(tǒng)中，這款MOSFET可用于控制充電樁的電能輸出，實現高效、安全的電動汽車充電。
3. **電源開關模塊**：作為電源開關器件，該MOSFET可用于各種電源開關應用，如開關電源和電源管理系統(tǒng)，實現高效的電源控制和管理。
4. **工業(yè)電機控制模塊**：在工業(yè)電機控制系統(tǒng)中，072N10N-VB可用于控制各種類型的電機，提供高效的電能管理和控制。

以上是對072N10N-VB的產品簡介、詳細參數說明以及適用領域和模塊的舉例說明。