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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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076N12N-VB TO262一種N-Channel溝道TO262封裝MOS管

型號: 076N12N-VB TO262
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 N-Channel
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

以下是關(guān)于VBsemi的MOSFET產(chǎn)品076N12N-VB的詳細(xì)信息:

1. 產(chǎn)品簡介:
  - 型號:076N12N-VB
  - 封裝:TO262
  - 構(gòu)造:單N溝道
  - 額定漏極-源極電壓(VDS):100V
  - 額定柵極-源極電壓(VGS):20V(±)
  - 閾值電壓(Vth):2.5V
  - 靜態(tài)漏極-源極電阻(RDS(ON)):在VGS=4.5V時(shí)為10mΩ,在VGS=10V時(shí)為9mΩ
  - 連續(xù)漏極電流(ID):100A
  - 工藝:溝槽

2. 參數(shù)說明:
  - VDS:100V是該MOSFET的最大漏極-源極電壓,超過這個(gè)電壓可能導(dǎo)致器件損壞。
  - VGS:20V(±)是該MOSFET的最大柵極-源極電壓范圍,超過這個(gè)范圍可能導(dǎo)致器件損壞。
  - Vth:2.5V是該MOSFET的閾值電壓,即當(dāng)柵極電壓高于2.5V時(shí),MOSFET開始導(dǎo)通。
  - RDS(ON):在VGS=4.5V時(shí)為10mΩ,在VGS=10V時(shí)為9mΩ,這表示在不同柵極電壓下,MOSFET的靜態(tài)漏極-源極電阻不同。
  - ID:100A是該MOSFET的最大連續(xù)漏極電流,超過這個(gè)電流可能導(dǎo)致器件過熱損壞。

3. 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例:
  - 電源模塊:由于076N12N-VB具有較低的漏極-源極電阻和較高的漏極電流能力,適用于高性能電源模塊,如服務(wù)器電源和通信設(shè)備電源。
  - 電動工具:可用于電動工具中的電源開關(guān)和電流控制,由于其高電流能力和低導(dǎo)通電阻,提供高效的電能轉(zhuǎn)換和管理。
  - 醫(yī)療設(shè)備:由于其高電壓和電流能力,適用于醫(yī)療設(shè)備中的電源管理和開關(guān)控制,確保設(shè)備的穩(wěn)定性和高效運(yùn)行。

請注意,以上示例僅用于說明該MOSFET可能的應(yīng)用領(lǐng)域和模塊,實(shí)際應(yīng)用需根據(jù)具體設(shè)計(jì)要求進(jìn)行評估。

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