### 08N50C3-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

08N50C3-VB 是一款單通道 N 溝道 MOSFET，封裝為 TO220F。該器件具有高達(dá) 650V 的漏極-源極電壓（VDS），30V 的柵極-源極電壓（VGS，最大值），和 3.5V 的閾值電壓（Vth）。它采用平面工藝，具有優(yōu)異的性能。

### 08N50C3-VB 詳細(xì)參數(shù)說明：

- **封裝：** TO220F
- **通道類型：** 單 N 溝道
- **漏極-源極電壓（VDS）：** 650V
- **柵極-源極電壓（VGS）：** 30V（±）
- **閾值電壓（Vth）：** 3.5V
- **導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：** 680mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流（ID）：** 12A
- **工藝：** 平面工藝

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例：

1. **電源模塊：** 08N50C3-VB 的高漏極-源極電壓和低導(dǎo)通電阻使其非常適合用于開關(guān)電源和逆變器模塊中的開關(guān)控制。
2. **照明領(lǐng)域：** 由于其高電壓能力和低導(dǎo)通電阻，可用于 LED 驅(qū)動(dòng)器等高效能照明系統(tǒng)中。
3. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)：** 適用于各種電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，如電動(dòng)汽車（EV）、混合動(dòng)力車輛（HEV）和工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，以提高效率和性能。
4. **電源因素校正（PFC）：** 在 PFC 模塊中，可用于實(shí)現(xiàn)高功率因素和低諧波失真。

以上僅為幾個(gè)示例，08N50C3-VB 在其它領(lǐng)域和模塊中也可能有廣泛的應(yīng)用。