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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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097N04L-VB一種N-Channel溝道DFN8(3X3)封裝MOS管

型號(hào): 097N04L-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 DFN8(3X3)封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

097N04L-VB是一款DFN8(3X3)封裝的單路N溝道MOSFET,具有40V的漏極-源極電壓(VDS)、20V的柵極-源極電壓(VGS,±),以及2.5V的閾值電壓(Vth)。其在VGS=4.5V時(shí)的導(dǎo)通電阻RDS(ON)為6mΩ,在VGS=10V時(shí)為4.5mΩ,最大漏極電流ID為40A。采用槽溝技術(shù)(Trench)制造。

產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
097N04L-VB是一款高性能的單路N溝道MOSFET,具有低漏極-源極電壓和導(dǎo)通電阻,適用于要求高功率和高可靠性的應(yīng)用場(chǎng)合。其DFN8(3X3)封裝設(shè)計(jì)使其適用于小尺寸應(yīng)用,并具有良好的散熱性能,廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域和模塊中。

詳細(xì)參數(shù)說明:
- 封裝:DFN8(3X3)
- 結(jié)構(gòu):?jiǎn)温種溝道
- VDS(漏極-源極電壓):40V
- VGS(柵極-源極電壓):20V(±)
- 閾值電壓(Vth):2.5V
- RDS(ON)(導(dǎo)通電阻):6mΩ @ VGS=4.5V,4.5mΩ @ VGS=10V
- 最大漏極電流(ID):40A
- 工藝技術(shù):槽溝技術(shù)(Trench)

應(yīng)用示例:
1. 電源模塊:用于電源管理模塊和DC-DC轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)。
2. 電動(dòng)工具:用于電動(dòng)工具的電機(jī)驅(qū)動(dòng)。
3. 汽車電子:用于汽車電子系統(tǒng)中的電源管理和電機(jī)控制。
4. 工業(yè)控制:用于工業(yè)自動(dòng)化和機(jī)械設(shè)備控制中的功率開關(guān)。

這些示例表明,097N04L-VB適用于需要高電壓和高電流驅(qū)動(dòng)的各種應(yīng)用領(lǐng)域和模塊,特別適合于小尺寸和高功率密度要求的應(yīng)用場(chǎng)合。

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