09N90W-VB是VBsemi推出的TO3P封裝單路N溝道MOSFET產(chǎn)品。以下是該產(chǎn)品的詳細(xì)參數(shù)說明：

- **包裝：** TO3P
- **配置：** 單路N溝道
- **漏極-源極電壓（VDS）：** 900V
- **柵極-源極電壓（VGS）：** ±30V
- **閾值電壓（Vth）：** 3.5V
- **導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：** 750mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流（ID）：** 9A
- **技術(shù)：** SJ_Multi-EPI

該產(chǎn)品適用于以下領(lǐng)域和模塊：
1. **工業(yè)電源模塊：** 由于其較高的漏極-源極電壓（VDS）和較高的漏極電流（ID）能力，適用于工業(yè)電源模塊的開關(guān)和控制。
2. **電動車充電模塊：** 適用于電動車的充電模塊，能夠承受高電壓和電流。
3. **電力系統(tǒng)中的開關(guān)：** 用于電力系統(tǒng)中的開關(guān)元件，具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的耐壓能力。
4. **醫(yī)療設(shè)備模塊：** 可用于醫(yī)療設(shè)備模塊中的開關(guān)和控制，具有良好的穩(wěn)定性和可靠性。
5. **LED照明驅(qū)動模塊：** 作為LED照明驅(qū)動模塊的開關(guān)元件，具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的漏極-源極電壓能力。

以上是09N90W-VB MOSFET產(chǎn)品的詳細(xì)介紹和應(yīng)用領(lǐng)域說明。