100N03L-VB是一款DFN8(3X3)封裝的單N溝道MOSFET。它具有30V的漏極-源極電壓（VDS），20V的柵極-源極電壓（VGS，±V），和1.7V的閾值電壓（Vth）。在不同的柵極-源極電壓下，其導通電阻（RDS(ON)）分別為19mΩ（@VGS=4.5V）和13mΩ（@VGS=10V），最大漏極電流（ID）為30A。這款MOSFET采用槽溝技術制造。

以下是關于100N03L-VB的詳細參數(shù)說明：

- **封裝類型（Package）**：DFN8(3X3)
- **器件類型（Configuration）**：單N溝道
- **漏極-源極電壓（VDS）**：30V
- **柵極-源極電壓（VGS，±V）**：20V
- **閾值電壓（Vth）**：1.7V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：19mΩ @ VGS=4.5V, 13mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流（ID）**：30A
- **技術**：槽溝

關于該產(chǎn)品在哪些領域和模塊上的應用，以下是一些例子：

1. **手機和平板電腦**：由于DFN8(3X3)封裝的小尺寸和30V的漏極-源極電壓，100N03L-VB適用于手機和平板電腦中的電源管理和充電模塊。
2. **LED照明**：在需要高效率和低導通電阻的LED照明系統(tǒng)中，這款MOSFET可用于LED驅(qū)動器中的開關器件。
3. **汽車電子**：對于汽車電子系統(tǒng)中的電源管理和馬達控制等應用，這款MOSFET適用于需要中等功率和高可靠性的場景。
4. **工業(yè)控制**：在工業(yè)控制系統(tǒng)中，100N03L-VB可以用作開關器件，用于馬達控制和電源管理。

這些只是一些例子，實際上，100N03L-VB可以適用于需要小尺寸、中等電壓和電流、低導通電阻的各種應用場景。