107N20N-VB是VBsemi推出的TO263封裝單路N溝道MOSFET產(chǎn)品。以下是該產(chǎn)品的詳細(xì)參數(shù)說明：

- **包裝：** TO263
- **配置：** 單路N溝道
- **漏極-源極電壓（VDS）：** 200V
- **柵極-源極電壓（VGS）：** ±20V
- **閾值電壓（Vth）：** 4V
- **導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：** 7.6mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流（ID）：** 100A
- **技術(shù)：** Trench

該產(chǎn)品適用于以下領(lǐng)域和模塊：
1. **電源模塊：** 由于其較高的漏極-源極電壓（VDS）和漏極電流（ID）能力，適用于電源模塊的開關(guān)和控制。
2. **電機驅(qū)動模塊：** 可用于電機驅(qū)動模塊中的開關(guān)和控制，具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的電流能力。
3. **LED照明驅(qū)動模塊：** 作為LED照明驅(qū)動模塊的開關(guān)元件，具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的漏極-源極電壓能力。
4. **電動車充電模塊：** 適用于電動車的充電模塊，能夠承受較高的電壓和電流。
5. **工業(yè)控制模塊：** 可用于工業(yè)設(shè)備和機械的開關(guān)和控制，具有較好的耐壓和耐電流能力。

以上是107N20N-VB MOSFET產(chǎn)品的詳細(xì)介紹和應(yīng)用領(lǐng)域說明。