10N03LA-VB是一款單N溝道MOSFET，具有以下主要參數(shù)：

- VDS（漏極-源極電壓）：30V
- VGS（門極-源極電壓）：20V（±）
- Vth（門極閾值電壓）：1.7V
- RDS(ON)（導(dǎo)通時(shí)的漏極-源極電阻）：9mΩ@VGS=4.5V，7mΩ@VGS=10V
- ID（漏極電流）：70A
- 技術(shù)特點(diǎn)：溝道工藝

產(chǎn)品簡(jiǎn)介：
10N03LA-VB是一款高性能、高可靠性的單N溝道MOSFET。采用了溝道工藝技術(shù)，具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的漏極電流，適用于各種高功率要求的場(chǎng)合。

詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明：
1. VDS（漏極-源極電壓）：30V，可以適應(yīng)較高的電壓環(huán)境。
2. VGS（門極-源極電壓）：20V（±），可靠的門控電壓范圍。
3. Vth（門極閾值電壓）：1.7V，可靠的門控特性。
4. RDS(ON)（導(dǎo)通時(shí)的漏極-源極電阻）：9mΩ@VGS=4.5V，7mΩ@VGS=10V，低導(dǎo)通電阻，有利于減小功耗和提高效率。
5. ID（漏極電流）：70A，適用于一般功率要求的場(chǎng)合。
6. 技術(shù)特點(diǎn)：溝道工藝，提供了較高的性能和可靠性。

應(yīng)用示例：
10N03LA-VB可以廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域和模塊：
- 電源模塊：適用于各種高功率電源開(kāi)關(guān)模塊。
- 電動(dòng)汽車充電樁：可用于電動(dòng)汽車充電樁中的高功率開(kāi)關(guān)模塊。
- 工業(yè)控制：適用于工業(yè)控制設(shè)備中的高功率電源開(kāi)關(guān)等模塊。
- 電動(dòng)工具：適用于各種高功率電動(dòng)工具中的功率開(kāi)關(guān)模塊。
- 高性能電子設(shè)備：適用于高性能電子設(shè)備中的功率開(kāi)關(guān)模塊。

這些示例表明，10N03LA-VB在高功率、高性能要求的場(chǎng)合具有廣泛的應(yīng)用前景。