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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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10N50L-TA3-T-VB一款N-Channel溝道TO220的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: 10N50L-TA3-T-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 10N50L-TA3-T-VB 產(chǎn)品簡介:

10N50L-TA3-T-VB 是一款單路 N-溝道場效應(yīng)管,采用 TO220 封裝,主要特點(diǎn)包括:

- **VDS(漏極-源極電壓)**:650V,適用于高壓應(yīng)用。
- **VGS(柵極-源極電壓)**:±30V,具有較高的柵極工作電壓范圍。
- **Vth(閾值電壓)**:3.5V,適用于邏輯電平控制。
- **RDS(ON)(導(dǎo)通電阻)**:500mΩ@VGS=10V,低導(dǎo)通電阻,有助于降低功耗和熱量。
- **ID(漏極電流)**:9A,能夠承受一定的電流負(fù)載。
- **Technology(技術(shù))**:SJ_Multi-EPI,采用多重外延結(jié)構(gòu)技術(shù),具有較好的性能和可靠性。

### 10N50L-TA3-T-VB 詳細(xì)參數(shù)說明:

- **封裝**:TO220
- **通道**:單路 N-溝道
- **VDS(漏極-源極電壓)**:650V
- **VGS(柵極-源極電壓)**:±30V
- **Vth(閾值電壓)**:3.5V
- **RDS(ON)(導(dǎo)通電阻)**:500mΩ@VGS=10V
- **ID(漏極電流)**:9A
- **Technology(技術(shù))**:SJ_Multi-EPI

### 10N50L-TA3-T-VB 在各領(lǐng)域和模塊的應(yīng)用示例:

1. **電源管理模塊**:由于其高壓和低導(dǎo)通電阻特性,10N50L-TA3-T-VB 可以用作電源管理模塊中的開關(guān)器件,適用于高壓和高功率應(yīng)用。

2. **電動車充電樁**:在電動車充電樁中,10N50L-TA3-T-VB 可以用作開關(guān)器件,有助于實(shí)現(xiàn)高效率和高功率的充電樁。

3. **工業(yè)電源**:在工業(yè)電源系統(tǒng)中,10N50L-TA3-T-VB 可以用作開關(guān)器件,適用于各種高壓和高功率的工業(yè)電源應(yīng)用場景。

4. **電動工具**:在一些高壓和高功率的電動工具中,10N50L-TA3-T-VB 可以用作驅(qū)動器件,幫助實(shí)現(xiàn)高效率和可靠性的工具。

以上是 10N50L-TA3-T-VB 的一些應(yīng)用示例,它的特性使其在高壓和高功率應(yīng)用中都能發(fā)揮重要作用。

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