**產(chǎn)品簡介：**
VBsemi的10N65K-VB是一款TO220F封裝的單N溝道MOSFET，具有650V的漏極-源極電壓（VDS），30V的柵極-源極電壓（VGS，±V），3.5V的閾值電壓（Vth），在VGS=10V時的導(dǎo)通電阻RDS(ON)為830mΩ，最大漏極電流（ID）為10A，采用平面技術(shù)。

**詳細(xì)參數(shù)說明：**
- 封裝：TO220F
- 極性：單N溝道
- 漏極-源極電壓（VDS）：650V
- 柵極-源極電壓（VGS）：30（±V）
- 閾值電壓（Vth）：3.5V
- 導(dǎo)通電阻RDS(ON)：830mΩ @ VGS=10V
- 最大漏極電流（ID）：10A
- 技術(shù)：平面

**適用領(lǐng)域和模塊舉例：**
- 電源管理：由于10N65K-VB具有較高的漏極-源極電壓和導(dǎo)通電阻特性，適用于高壓、高功率的電源管理中，如電源逆變器、開關(guān)電源等模塊。
- 汽車電子：在汽車電子中，需要耐受高電壓和高溫的元件，10N65K-VB可用于汽車電子中的直流-直流轉(zhuǎn)換器、電動車充電樁等模塊。
- 工業(yè)控制：工業(yè)控制系統(tǒng)需要穩(wěn)定可靠的電源和開關(guān)元件，10N65K-VB可用于工業(yè)控制中的電機(jī)控制、照明控制等模塊。
- 太陽能逆變器：在太陽能逆變器中，需要承受高壓和高功率，10N65K-VB可用于太陽能逆變器中的直流-交流轉(zhuǎn)換模塊。

以上是對10N65K-VB產(chǎn)品的簡介、詳細(xì)參數(shù)說明以及適用領(lǐng)域和模塊的舉例說明。