### 10N80L-TF2-T-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

10N80L-TF2-T-VB 是一款高性能的單N溝道功率MOSFET，采用TO220F封裝。這款MOSFET具有800V的漏源極電壓（VDS），能夠承受高壓環(huán)境中的操作。其柵極電壓（VGS）為±30V，閾值電壓（Vth）為3.5V，具備良好的開(kāi)關(guān)性能。10N80L-TF2-T-VB 在VGS=10V時(shí)的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為770mΩ，能夠提供7A的持續(xù)漏極電流（ID），適用于各種需要高效能和可靠性的電力電子應(yīng)用中。該器件采用SJ_Multi-EPI技術(shù)，確保了其優(yōu)異的性能和耐用性。

### 10N80L-TF2-T-VB 參數(shù)說(shuō)明

| 參數(shù)名稱           | 數(shù)值         | 單位          |
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| 封裝類型           | TO220F       | -             |
| 配置               | 單N溝道      | -             |
| 漏源極電壓 (VDS)   | 800          | V             |
| 柵極電壓 (VGS)     | 30（±）      | V             |
| 閾值電壓 (Vth)     | 3.5          | V             |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) | 770          | mΩ @ VGS=10V  |
| 漏極電流 (ID)      | 7            | A             |
| 技術(shù)               | SJ_Multi-EPI | -           

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### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **電動(dòng)汽車充電樁**：
  10N80L-TF2-T-VB 可用作電動(dòng)汽車充電樁中的功率開(kāi)關(guān)元件。其高耐壓能力和低導(dǎo)通電阻特性，使其能夠在高功率的充電樁中提供可靠的性能，確?？焖?、高效的充電過(guò)程。

2. **太陽(yáng)能逆變器**：
  這款MOSFET 適用于太陽(yáng)能逆變器中的功率開(kāi)關(guān)電路。其高效能和可靠性，使其能夠有效地將太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換為電能，提高太陽(yáng)能系統(tǒng)的能源利用率。

3. **工業(yè)電源**：
  在工業(yè)電源設(shè)備中，10N80L-TF2-T-VB 可用于驅(qū)動(dòng)高功率負(fù)載和穩(wěn)定輸出電壓。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻，能夠滿足工業(yè)設(shè)備對(duì)高效能和可靠性的要求。

通過(guò)以上應(yīng)用實(shí)例，10N80L-TF2-T-VB 展示了其在多個(gè)領(lǐng)域的多功能性和高性能表現(xiàn)，是電力電子設(shè)計(jì)中不可或缺的元件之一。