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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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10NM60ND-VB TO252一款N-Channel溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: 10NM60ND-VB TO252
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 10NM60ND-VB 產(chǎn)品簡介

10NM60ND-VB 是一款高性能的單N溝道功率MOSFET,采用TO252封裝。這款MOSFET具有650V的漏源極電壓(VDS),能夠承受高壓環(huán)境中的操作。其柵極電壓(VGS)為±30V,閾值電壓(Vth)為3.5V,具備良好的開關(guān)性能。10NM60ND-VB 在VGS=10V時的導通電阻(RDS(ON))為500mΩ,能夠提供9A的持續(xù)漏極電流(ID),適用于各種需要高效能和可靠性的電力電子應(yīng)用中。該器件采用SJ_Multi-EPI技術(shù),確保了其優(yōu)異的性能和耐用性。

### 10NM60ND-VB 參數(shù)說明

| 參數(shù)名稱           | 數(shù)值         | 單位          |
| ------------------ | ------------ | ------------- |
| 封裝類型           | TO252        | -             |
| 配置               | 單N溝道      | -             |
| 漏源極電壓 (VDS)   | 650          | V             |
| 柵極電壓 (VGS)     | 30(±)      | V             |
| 閾值電壓 (Vth)     | 3.5          | V             |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 500          | mΩ @ VGS=10V  |
| 漏極電流 (ID)      | 9            | A             |
| 技術(shù)               | SJ_Multi-EPI | -             |

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **LED照明**:
  10NM60ND-VB 可用作LED照明驅(qū)動器中的功率開關(guān)元件。其高耐壓能力和低導通電阻特性,使其能夠在LED照明系統(tǒng)中提供可靠的性能,確保穩(wěn)定的光照效果。

2. **電動工具**:
  在電動工具中,如電動鉆、電動錘等設(shè)備中,10NM60ND-VB 可用于控制電動機的開關(guān)。其高電流處理能力和穩(wěn)定性,能夠確保電動工具在工作時提供持續(xù)穩(wěn)定的動力輸出。

3. **太陽能逆變器**:
  這款MOSFET 適用于太陽能逆變器中的功率開關(guān)電路。其高效能和可靠性,使其能夠有效地將太陽能轉(zhuǎn)換為電能,提高太陽能系統(tǒng)的能源利用率。

4. **電動汽車充電樁**:
  10NM60ND-VB 可用作電動汽車充電樁中的功率開關(guān)元件。其高耐壓能力和低導通電阻特性,使其能夠在高功率的充電樁中提供可靠的性能,確??焖?、高效的充電過程。

通過以上應(yīng)用實例,10NM60ND-VB 展示了其在多個領(lǐng)域的多功能性和高性能表現(xiàn),是電力電子設(shè)計中不可或缺的元件之一。

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