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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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10P6F6-VB TO220F一款N-Channel溝道TO220F的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): 10P6F6-VB TO220F
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220F封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 10P6F6-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

10P6F6-VB 是一款高性能的單N溝道功率MOSFET,采用TO220F封裝。這款MOSFET具有60V的漏源極電壓(VDS),能夠在低電壓環(huán)境中操作。其柵極電壓(VGS)為±20V,閾值電壓(Vth)為1.7V,具備良好的開(kāi)關(guān)性能。10P6F6-VB 在VGS=10V時(shí)的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為27mΩ,能夠提供45A的持續(xù)漏極電流(ID),適用于需要高效能和可靠性的電力電子應(yīng)用中。該器件采用Trench技術(shù),確保了其優(yōu)異的性能和耐用性。

### 10P6F6-VB 參數(shù)說(shuō)明

| 參數(shù)名稱(chēng)           | 數(shù)值         | 單位          |
| ------------------ | ------------ | ------------- |
| 封裝類(lèi)型           | TO220F       | -             |
| 配置               | 單N溝道      | -             |
| 漏源極電壓 (VDS)   | 60           | V             |
| 柵極電壓 (VGS)     | 20(±)      | V             |
| 閾值電壓 (Vth)     | 1.7          | V             |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) | 27           | mΩ @ VGS=10V  |
| 漏極電流 (ID)      | 45           | A             |
| 技術(shù)               | Trench       | -             |

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **電源管理**:
  10P6F6-VB 可用作低壓電源管理中的開(kāi)關(guān)元件,例如手機(jī)充電器、電池管理系統(tǒng)等。其低導(dǎo)通電阻和高漏極電流能力,使其能夠提供高效能和可靠性的功率轉(zhuǎn)換。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:
  在電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中,如電動(dòng)汽車(chē)驅(qū)動(dòng)器、電動(dòng)工具驅(qū)動(dòng)器等,10P6F6-VB 可用于控制電機(jī)的開(kāi)關(guān)。其高漏極電流處理能力和低導(dǎo)通電阻,能夠確保電機(jī)系統(tǒng)提供高效能和可靠性的動(dòng)力輸出。

3. **照明系統(tǒng)**:
  這款MOSFET 適用于LED照明系統(tǒng)中的功率開(kāi)關(guān)電路。其高效能和可靠性,使其能夠在LED照明系統(tǒng)中提供穩(wěn)定的功率輸出,確保照明效果。

4. **電池保護(hù)**:
  10P6F6-VB 可用作電池保護(hù)系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。其高漏極電流和低導(dǎo)通電阻,能夠確保在電池過(guò)充、過(guò)放等異常情況下對(duì)電池進(jìn)行有效保護(hù)。

通過(guò)以上應(yīng)用實(shí)例,10P6F6-VB 展示了其在多個(gè)領(lǐng)域的多功能性和高性能表現(xiàn),是電力電子設(shè)計(jì)中不可或缺的元件之一。

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