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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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110N055-VB一款N-Channel溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): 110N055-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO263封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

好的,我會(huì)根據(jù)您提供的資料生成所需的產(chǎn)品簡(jiǎn)介、詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明,以及該產(chǎn)品適用的領(lǐng)域和模塊的舉例說(shuō)明。

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**產(chǎn)品型號(hào):** 110N055-VB  
**封裝類(lèi)型:** TO263  
**配置:** 單N溝道  
**最大漏源電壓 (VDS):** 60V  
**最大柵源電壓 (VGS):** ±20V  
**閾值電壓 (Vth):** 3V  
**導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)):** 7mΩ@VGS=4.5V;2.5mΩ@VGS=10V  
**最大漏極電流 (ID):** 270A  
**技術(shù):** Trench

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

1. **封裝類(lèi)型 (Package):** TO263
2. **配置 (Configuration):** 單N溝道 (Single N-Channel)
3. **最大漏源電壓 (VDS):** 60V
4. **最大柵源電壓 (VGS):** ±20V
5. **閾值電壓 (Vth):** 3V
6. **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)):**
  - 7mΩ@VGS=4.5V
  - 2.5mΩ@VGS=10V
7. **最大漏極電流 (ID):** 270A
8. **技術(shù) (Technology):** Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **電源管理模塊**
  - **應(yīng)用場(chǎng)景:** 在服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心以及電信基礎(chǔ)設(shè)施中,用于高效的電源轉(zhuǎn)換和分配。
  - **作用:** 提供低導(dǎo)通電阻和高電流能力,減少功耗,提高電源效率。

2. **電機(jī)控制**
  - **應(yīng)用場(chǎng)景:** 用于電動(dòng)汽車(chē)和工業(yè)自動(dòng)化中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)。
  - **作用:** 其高電流能力和低導(dǎo)通電阻特性使其適合高效控制大功率電機(jī)。

3. **太陽(yáng)能逆變器**
  - **應(yīng)用場(chǎng)景:** 用于太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)中的逆變器。
  - **作用:** 提高能量轉(zhuǎn)換效率,減少功率損耗。

4. **電池管理系統(tǒng)**
  - **應(yīng)用場(chǎng)景:** 用于電動(dòng)汽車(chē)、儲(chǔ)能系統(tǒng)和便攜設(shè)備的電池管理。
  - **作用:** 通過(guò)高效的電流控制和低損耗,延長(zhǎng)電池壽命,提高系統(tǒng)可靠性。

5. **照明系統(tǒng)**
  - **應(yīng)用場(chǎng)景:** 用于LED照明和高效照明系統(tǒng)。
  - **作用:** 提供穩(wěn)定的電流控制,減少能耗,提高照明效率。

通過(guò)這些應(yīng)用實(shí)例,可以看出110N055-VB MOSFET在各個(gè)領(lǐng)域中均具有廣泛的應(yīng)用前景,其優(yōu)異的電氣性能和可靠的封裝技術(shù),使其成為各類(lèi)高效電源和電流控制模塊中的理想選擇。

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