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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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110N06N-VB一款N-Channel溝道DFN8(3X3)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): 110N06N-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 DFN8(3X3)封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

好的,我會(huì)根據(jù)您提供的資料生成所需的產(chǎn)品簡(jiǎn)介、詳細(xì)參數(shù)說明,以及該產(chǎn)品適用的領(lǐng)域和模塊的舉例說明。

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**產(chǎn)品型號(hào):** 110N06N-VB  
**封裝類型:** DFN8(3X3)  
**配置:** 單N溝道  
**最大漏源電壓 (VDS):** 60V  
**最大柵源電壓 (VGS):** ±20V  
**閾值電壓 (Vth):** 2.5V  
**導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)):** 13mΩ@VGS=4.5V;10mΩ@VGS=10V  
**最大漏極電流 (ID):** 15A  
**技術(shù):** Trench

### 詳細(xì)參數(shù)說明

1. **封裝類型 (Package):** DFN8(3X3)
2. **配置 (Configuration):** 單N溝道 (Single N-Channel)
3. **最大漏源電壓 (VDS):** 60V
4. **最大柵源電壓 (VGS):** ±20V
5. **閾值電壓 (Vth):** 2.5V
6. **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)):**
  - 13mΩ@VGS=4.5V
  - 10mΩ@VGS=10V
7. **最大漏極電流 (ID):** 15A
8. **技術(shù) (Technology):** Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **負(fù)載開關(guān)**
  - **應(yīng)用場(chǎng)景:** 用于便攜式設(shè)備和移動(dòng)設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)。
  - **作用:** 由于其低導(dǎo)通電阻和高電流能力,提供高效的負(fù)載切換和電流管理。

2. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**
  - **應(yīng)用場(chǎng)景:** 用于筆記本電腦、平板電腦等設(shè)備中的DC-DC轉(zhuǎn)換器。
  - **作用:** 提供高效的電壓轉(zhuǎn)換,確保設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行。

3. **保護(hù)電路**
  - **應(yīng)用場(chǎng)景:** 用于電源管理系統(tǒng)中的過流保護(hù)和短路保護(hù)電路。
  - **作用:** 其高電流能力和低導(dǎo)通電阻特性確保系統(tǒng)安全可靠地運(yùn)行。

4. **照明驅(qū)動(dòng)**
  - **應(yīng)用場(chǎng)景:** 用于LED驅(qū)動(dòng)電路和智能照明系統(tǒng)。
  - **作用:** 提供穩(wěn)定的電流控制,提升照明系統(tǒng)的效率和可靠性。

5. **電源適配器**
  - **應(yīng)用場(chǎng)景:** 用于各類電子設(shè)備的電源適配器中。
  - **作用:** 通過高效的電流控制和低損耗,提升電源適配器的轉(zhuǎn)換效率和可靠性。

通過這些應(yīng)用實(shí)例,可以看出110N06N-VB MOSFET在各個(gè)領(lǐng)域中均具有廣泛的應(yīng)用前景,其優(yōu)異的電氣性能和可靠的封裝技術(shù),使其成為各類高效電源和電流控制模塊中的理想選擇。

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