## 產(chǎn)品簡介：

VBsemi的MOSFET產(chǎn)品114N12N-VB是一款單N溝道MOSFET，采用了Trench技術(shù)，具有100V的漏極-源極電壓（VDS）和100A的漏極電流（ID）能力。該產(chǎn)品在TO220封裝中提供，適用于需要高性能的功率電子應(yīng)用。

## 參數(shù)說明：

- 封裝：TO220
- 構(gòu)型：單N溝道
- 漏極-源極電壓（VDS）：100V
- 柵極-源極電壓（VGS）：±20V
- 閾值電壓（Vth）：2.5V
- 導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：20mΩ @ VGS=4.5V；9mΩ @ VGS=10V
- 漏極電流（ID）：100A
- 技術(shù)：Trench

## 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊：

1. **電源模塊**：114N12N-VB的低導(dǎo)通電阻和高漏極電流使其非常適合用于開關(guān)電源模塊，如DC-DC轉(zhuǎn)換器和AC-DC變換器。
  
2. **電動工具**：由于其高漏極電流和低導(dǎo)通電阻，114N12N-VB可以用于電動工具，如電鉆、電錘等，提供高效率和可靠性。
  
3. **電動汽車**：作為電動汽車中的功率開關(guān)器件，114N12N-VB可以用于控制電機(jī)和電池管理系統(tǒng)，支持高功率密度和能效。

4. **工業(yè)自動化**：在工業(yè)自動化設(shè)備中，114N12N-VB可用于電機(jī)控制、電源管理和逆變器等模塊，提供穩(wěn)定的電力輸出。

5. **照明應(yīng)用**：114N12N-VB適用于LED驅(qū)動器和其他照明電源，能夠提供高效的功率轉(zhuǎn)換和可靠性。

以上是對114N12N-VB MOSFET產(chǎn)品的產(chǎn)品簡介、詳細(xì)參數(shù)說明以及適用領(lǐng)域和模塊的介紹。