### 產(chǎn)品簡介

VBsemi的11N40L-TF3-T-VB是一款單N溝道MOSFET，采用Plannar技術(shù)，具有高達(dá)550V的漏極-源極電壓（VDS）和30V的柵極-源極電壓（VGS）。該器件的漏極-源極導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）在VGS=10V時(shí)為260mΩ，具有18A的漏極電流（ID）和3V的閾值電壓（Vth）。

### 參數(shù)說明

- **型號(hào)**: 11N40L-TF3-T-VB
- **封裝**: TO220F
- **結(jié)構(gòu)**: 單N溝道
- **VDS（漏極-源極電壓）**: 550V
- **VGS（柵極-源極電壓）**: 30V（±）
- **Vth（閾值電壓）**: 3V
- **RDS(ON)（漏極-源極導(dǎo)通電阻）**: 
 - VGS=10V時(shí)：260mΩ
- **ID（漏極電流）**: 18A
- **技術(shù)**: Plannar

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源模塊**: 11N40L-TF3-T-VB的高電壓和電流特性使其適用于電源模塊，如DC-DC變換器和高壓穩(wěn)壓器。
2. **工業(yè)電子**: 在工業(yè)電子設(shè)備中，該器件可用于控制和調(diào)節(jié)電流，例如在電機(jī)控制、照明控制和電力管理系統(tǒng)中。
3. **太陽能逆變器**: 由于其高電壓和電流容量，11N40L-TF3-T-VB適用于太陽能逆變器中的功率開關(guān)和逆變控制。
4. **電動(dòng)汽車充電器**: 在電動(dòng)汽車充電器中，該器件可用作功率開關(guān)，實(shí)現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換和充電控制。
5. **電力傳輸與分配**: 該MOSFET可用于電力傳輸與分配系統(tǒng)中的高壓開關(guān)，如電網(wǎng)電壓調(diào)節(jié)和線路保護(hù)。

以上示例僅說明了11N40L-TF3-T-VB可能應(yīng)用的部分領(lǐng)域和模塊，具體應(yīng)用取決于設(shè)計(jì)要求和環(huán)境。