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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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11N50L-TA3-T-VB一款N-Channel溝道TO220的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): 11N50L-TA3-T-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 11N50L-TA3-T-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**產(chǎn)品概述**:
11N50L-TA3-T-VB 是一款高性能的單N溝道功率MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技術(shù)制造,具有低導(dǎo)通電阻和高電壓承受能力。這款MOSFET封裝在TO220中,適用于需要高效率和高可靠性的高壓電源管理應(yīng)用。

**產(chǎn)品特點(diǎn)**:
- **高電壓承受能力**:VDS為650V,適用于高壓應(yīng)用。
- **高柵極電壓**:VGS為±30V,提供更大的設(shè)計(jì)靈活性。
- **低閾值電壓**:Vth為3.5V,易于驅(qū)動(dòng)。
- **低導(dǎo)通電阻**:RDS(ON)為500mΩ@VGS=10V,提高效率,降低功耗。
- **適中電流能力**:ID為9A,適用于中等電流應(yīng)用。

### 11N50L-TA3-T-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝**:TO220
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道
- **漏源極電壓(VDS)**:650V
- **柵源極電壓(VGS)**:±30V
- **閾值電壓(Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:500mΩ@VGS=10V
- **連續(xù)漏極電流(ID)**:9A
- **技術(shù)**:SJ_Multi-EPI

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

**電源逆變器**:
在電源逆變器中,11N50L-TA3-T-VB可用作開(kāi)關(guān)管,用于將直流電轉(zhuǎn)換為交流電。其高電壓承受能力和低導(dǎo)通電阻,使其在逆變器中具有較高的效率和可靠性。

**工業(yè)電源**:
在工業(yè)電源系統(tǒng)中,該MOSFET可用于各種電源轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。其高電壓承受能力和適中的電流能力,適用于各種工業(yè)環(huán)境下的電力控制應(yīng)用。

**電動(dòng)汽車(chē)充電樁**:
在電動(dòng)汽車(chē)充電樁中,11N50L-TA3-T-VB可用于電源開(kāi)關(guān)和電流控制。其高電壓承受能力和低導(dǎo)通電阻,有助于提高充電樁的效率和穩(wěn)定性。

**UPS系統(tǒng)**:
在UPS系統(tǒng)中,該MOSFET可用于電源開(kāi)關(guān)和電池管理。其高電壓承受能力和低導(dǎo)通電阻,有助于提高UPS系統(tǒng)的效率和可靠性,確保電力供應(yīng)的連續(xù)性。

**太陽(yáng)能逆變器**:
在太陽(yáng)能逆變器中,11N50L-TA3-T-VB可用作開(kāi)關(guān)元件,實(shí)現(xiàn)太陽(yáng)能電能的轉(zhuǎn)換和傳輸。其高效率和高可靠性,有助于提高太陽(yáng)能系統(tǒng)的整體性能。

通過(guò)以上應(yīng)用實(shí)例,可以看出11N50L-TA3-T-VB MOSFET在各個(gè)領(lǐng)域和模塊中都有廣泛的應(yīng)用前景,能夠滿(mǎn)足高性能和高可靠性需求。

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