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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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11N90L-TA3-T-VB一款N-Channel溝道TO220的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): 11N90L-TA3-T-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

以下是對(duì)MOSFET產(chǎn)品11N90L-TA3-T-VB的產(chǎn)品簡(jiǎn)介、參數(shù)說(shuō)明以及適用領(lǐng)域和模塊的詳細(xì)說(shuō)明:

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
11N90L-TA3-T-VB是一款單N溝道MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技術(shù)制造,具有900V的漏極-源極電壓(VDS)、30V的柵極-源極電壓(VGS)、3.5V的閾值電壓(Vth)、950mΩ@VGS=10V的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))、以及7A的漏極電流(ID)。適用于需要高性能MOSFET的電路設(shè)計(jì)。

### 參數(shù)說(shuō)明:
- **型號(hào):** 11N90L-TA3-T-VB
- **封裝:** TO220
- **構(gòu)型:** 單N溝道
- **漏極-源極電壓(VDS):** 900V
- **柵極-源極電壓(VGS):** ±30V
- **閾值電壓(Vth):** 3.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):** 950mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流(ID):** 7A
- **技術(shù):** SJ_Multi-EPI

### 適用領(lǐng)域和模塊:
1. **電源模塊:** 由于11N90L-TA3-T-VB具有高漏極-源極電壓和適中的導(dǎo)通電阻,適用于需要高電壓和中等功率的電源模塊,如開(kāi)關(guān)電源、逆變器等。
2. **照明應(yīng)用:** 該MOSFET適用于需要高電壓和中等電流的照明應(yīng)用,如室內(nèi)照明、戶(hù)外照明等。
3. **電動(dòng)工具:** 由于11N90L-TA3-T-VB具有適中的漏極電流和導(dǎo)通電阻,可用于電動(dòng)工具的電源控制和驅(qū)動(dòng)電路中,提供適中功率和性能。
4. **電動(dòng)汽車(chē)充電樁:** 在電動(dòng)汽車(chē)充電樁中,11N90L-TA3-T-VB可用于充電樁的電源開(kāi)關(guān)和控制電路,以提供適中功率和高效率。
5. **工業(yè)控制:** 在工業(yè)控制系統(tǒng)中,11N90L-TA3-T-VB可用于電源開(kāi)關(guān)和控制電路,以提供穩(wěn)定的電源和高效率。

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