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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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125N2G-VB一款N-Channel溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: 125N2G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO263封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 125N2G-VB TO263 產(chǎn)品簡介

125N2G-VB 是一款由 VBsemi 推出的單N溝道 MOSFET,采用 TO263 封裝技術(shù)。該器件具有 30V 的漏源電壓 (VDS) 和 ±20V 的柵源電壓 (VGS),閾值電壓 (Vth) 為 1.7V。在柵源電壓為 4.5V 和 10V 時,其導通電阻 (RDS(ON)) 分別為 3.2mΩ 和 2.3mΩ。這款 MOSFET 采用 Trench 技術(shù)制造,具備極低的導通電阻和高電流處理能力,適用于高性能電子系統(tǒng)。

### 詳細參數(shù)說明

| 參數(shù) | 規(guī)格 |
| --- | --- |
| 產(chǎn)品型號 | 125N2G-VB |
| 封裝 | TO263 |
| 配置 | 單N溝道 |
| 漏源電壓 (VDS) | 30V |
| 柵源電壓 (VGS) | ±20V |
| 閾值電壓 (Vth) | 1.7V |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 3.2mΩ @ VGS=4.5V, 2.3mΩ @ VGS=10V |
| 連續(xù)漏極電流 (ID) | 150A |
| 技術(shù) | Trench |

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

125N2G-VB 這款 MOSFET 可廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域和模塊中,例如:

1. **電源管理模塊**
  - 適用于功率因數(shù)校正 (PFC)、開關(guān)電源和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器等電源管理模塊,提供高效的能量轉(zhuǎn)換和電流控制。

2. **電動工具**
  - 在高性能電動工具中,如電動鉆、電動鋸等,通過其高電流處理能力和低導通電阻,提供穩(wěn)定可靠的電動工具性能。

3. **車載電子**
  - 在汽車和其他車輛的電子系統(tǒng)中,125N2G-VB 可用作電池管理系統(tǒng) (BMS) 和車載充電系統(tǒng)的關(guān)鍵元件,確保電池和充電系統(tǒng)的安全和穩(wěn)定性。

4. **電機控制**
  - 該器件可用于電機驅(qū)動器和電機控制系統(tǒng)中的開關(guān)電路,支持高頻操作和大電流處理,提升電機的性能和效率。

5. **高頻開關(guān)電路**
  - 在需要高頻開關(guān)操作的電子系統(tǒng)中,125N2G-VB 可用作關(guān)鍵開關(guān)元件,提供高效的能量轉(zhuǎn)換和電流控制。

通過以上示例,可以看出 125N2G-VB MOSFET 具備廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域和模塊,是許多高性能電子系統(tǒng)中的重要組成部分。

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