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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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12CN10N-VB TO263一款N-Channel溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): 12CN10N-VB TO263
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO263封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 12CN10N-VB TO263 產(chǎn)品簡介

**產(chǎn)品概述**:
12CN10N-VB 是一款高性能的單N溝道功率MOSFET,采用Trench技術(shù)制造,具有低導(dǎo)通電阻和高電流承受能力。這款MOSFET封裝在TO263中,適用于需要高效率和高可靠性的中壓電源管理應(yīng)用。

**產(chǎn)品特點(diǎn)**:
- **中等電壓承受能力**:VDS為100V,適用于中壓應(yīng)用。
- **高柵極電壓**:VGS為±20V,提供較大的設(shè)計(jì)靈活性。
- **低閾值電壓**:Vth為2.5V,易于驅(qū)動(dòng)。
- **低導(dǎo)通電阻**:RDS(ON)為23mΩ@VGS=4.5V,10mΩ@VGS=10V,提高效率,降低功耗。
- **高電流能力**:ID為100A,適用于高電流應(yīng)用。

### 12CN10N-VB TO263 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝**:TO263
- **配置**:單N溝道
- **漏源極電壓(VDS)**:100V
- **柵源極電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:2.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:23mΩ@VGS=4.5V,10mΩ@VGS=10V
- **連續(xù)漏極電流(ID)**:100A
- **技術(shù)**:Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

**電源管理模塊**:
在中壓電源管理模塊中,12CN10N-VB可用作功率開關(guān)元件,用于實(shí)現(xiàn)高效率的電源轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電壓輸出。其低導(dǎo)通電阻和高電流能力,使其在電源管理模塊中具有優(yōu)異的性能。

**汽車電子**:
在汽車電子系統(tǒng)中,該MOSFET可用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的功率開關(guān)元件,用于控制電動(dòng)機(jī)的啟停和速度調(diào)節(jié)。其高電流能力和低導(dǎo)通電阻,有助于提高汽車電子系統(tǒng)的性能和可靠性。

**DC-DC轉(zhuǎn)換器**:
在DC-DC轉(zhuǎn)換器中,12CN10N-VB可用作開關(guān)管,實(shí)現(xiàn)直流電的電壓轉(zhuǎn)換。其低導(dǎo)通電阻和高電流能力,有助于提高DC-DC轉(zhuǎn)換器的效率和穩(wěn)定性。

**電池管理系統(tǒng)**:
在電池管理系統(tǒng)中,該MOSFET可用于電池保護(hù)電路和充放電控制。其低導(dǎo)通電阻和高電流能力,有助于提高電池管理系統(tǒng)的效率和安全性。

**通信設(shè)備**:
在通信設(shè)備中,該MOSFET可用于功率放大器和電源管理模塊。其高效率和低功耗特性,有助于提高通信設(shè)備的信號(hào)質(zhì)量和能效。

通過以上應(yīng)用實(shí)例,可以看出12CN10N-VB MOSFET在各個(gè)領(lǐng)域和模塊中都有廣泛的應(yīng)用前景,能夠滿足中壓范圍內(nèi)的高性能和高可靠性需求。

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