## 產(chǎn)品簡介：

VBsemi的MOSFET產(chǎn)品12DN20NS3-VB是一款單N溝道MOSFET，采用了Trench技術(shù)，具有200V的漏極-源極電壓（VDS）和30A的漏極電流（ID）能力。該產(chǎn)品在DFN8(5X6)封裝中提供，適用于需要高電壓和中等電流的功率電子應(yīng)用。

## 參數(shù)說明：

- 封裝：DFN8(5X6)
- 構(gòu)型：單N溝道
- 漏極-源極電壓（VDS）：200V
- 柵極-源極電壓（VGS）：±20V
- 閾值電壓（Vth）：3V
- 導通電阻（RDS(ON)）：38mΩ @ VGS=10V
- 漏極電流（ID）：30A
- 技術(shù)：Trench

## 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊：

1. **電源模塊**：由于12DN20NS3-VB具有較高的漏極電壓和適中的漏極電流能力，適用于高性能的開關(guān)電源模塊，如DC-DC變換器和AC-DC變換器。

2. **電動汽車**：在電動汽車中，這款MOSFET可以用于電機驅(qū)動器、電池管理系統(tǒng)等模塊，提供高效率和可靠性。

3. **工業(yè)控制**：在工業(yè)控制設(shè)備中，這款MOSFET可用于逆變器、電源管理單元等模塊，提供可靠的功率控制和轉(zhuǎn)換。

4. **電池管理**：在需要高功率密度的電池管理系統(tǒng)中，12DN20NS3-VB可用于電池充放電控制、保護等模塊，支持高功率密度和能效。

5. **太陽能逆變器**：這款MOSFET還可用于太陽能逆變器中，用于將太陽能電池板產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)換為交流電。

以上是對12DN20NS3-VB MOSFET產(chǎn)品的產(chǎn)品簡介、詳細參數(shù)說明以及適用領(lǐng)域和模塊的介紹。