### 產(chǎn)品簡介

12L02H-VB 是一款單通道 N 型 MOSFET，采用溝道（Trench）技術(shù)。它具有低導(dǎo)通電阻和高耐壓特性，適用于各種領(lǐng)域和模塊的功率控制和開關(guān)電路。

### 參數(shù)說明

- **封裝：** TO252
- **VDS（漏極-源極電壓）：** 30V
- **VGS（柵極-源極電壓）：** ±20V
- **Vth（閾值電壓）：** 1.7V
- **導(dǎo)通電阻：**
 - @VGS=4.5V: 9mΩ
 - @VGS=10V: 7mΩ
- **最大漏極電流（ID）：** 70A

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **電源模塊：** 12L02H-VB TO252 的低導(dǎo)通電阻和高耐壓特性使其適用于電源模塊中的主開關(guān)，提高電源的轉(zhuǎn)換效率。
2. **電池管理：** 在電池管理系統(tǒng)中，12L02H-VB TO252 可以用作保護開關(guān)，用于控制電池充放電過程中的電流。
3. **電機驅(qū)動：** 在電機驅(qū)動器中，12L02H-VB TO252 可以用作低電阻、高效率的電源開關(guān)，用于控制電機的啟停和速度。
4. **LED 照明：** 在LED 照明應(yīng)用中，12L02H-VB TO252 可以用于開關(guān)電源單元，實現(xiàn)高效、節(jié)能的照明效果。

以上示例說明了12L02H-VB TO252 在各種領(lǐng)域和模塊中的廣泛應(yīng)用，特別適用于需要低導(dǎo)通電阻和高效率的場合。