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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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13N50H-VB TO220一款N-Channel溝道TO220的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: 13N50H-VB TO220
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 13N50H-VB TO220 產(chǎn)品簡介

**產(chǎn)品概述**:
13N50H-VB 是一款單N溝道功率MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技術(shù)制造,適用于高壓范圍內(nèi)的功率控制應(yīng)用。其封裝為TO220,具有良好的散熱性能和高可靠性。

**產(chǎn)品特點**:
- **高電壓承受能力**:VDS為650V,適用于高壓范圍內(nèi)的應(yīng)用。
- **高柵極電壓**:VGS為±30V,提供設(shè)計靈活性。
- **中閾值電壓**:Vth為3.5V,適中的驅(qū)動要求。
- **低導(dǎo)通電阻**:RDS(ON)為420mΩ@VGS=10V,提高效率,降低功耗。
- **中電流能力**:ID為11A,適用于中等電流應(yīng)用。

### 13N50H-VB TO220 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝**:TO220
- **配置**:單N溝道
- **漏源極電壓(VDS)**:650V
- **柵源極電壓(VGS)**:±30V
- **閾值電壓(Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:420mΩ@VGS=10V
- **連續(xù)漏極電流(ID)**:11A
- **技術(shù)**:SJ_Multi-EPI

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

**電源管理**:
13N50H-VB 可用于電源管理模塊中的功率開關(guān)元件,用于實現(xiàn)高效率的電源轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電壓輸出。適用于工業(yè)電源、電力傳輸?shù)阮I(lǐng)域。

**電動汽車充電樁**:
在電動汽車充電樁中,可用于控制充電樁的功率開關(guān)元件,適用于快充電樁、慢充電樁等領(lǐng)域。

**電力傳輸**:
適用于高壓直流輸電系統(tǒng)中的開關(guān)元件,控制電力傳輸和分配。

**電力電子**:
可用于高壓電力電子設(shè)備中的功率開關(guān)元件,如變頻器、逆變器等領(lǐng)域。

**醫(yī)療設(shè)備**:
在醫(yī)療設(shè)備中,可用于高壓電源開關(guān)和電機控制,如醫(yī)療影像設(shè)備、電子治療設(shè)備等領(lǐng)域。

通過以上應(yīng)用實例,可以看出13N50H-VB 在各個領(lǐng)域和模塊中都有廣泛的應(yīng)用前景,能夠滿足高壓范圍內(nèi)的高性能和高可靠性需求。

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