### 產(chǎn)品簡介：

VBsemi的MOSFET產(chǎn)品13N50W-VB是一款單N溝道MOSFET，采用了SJ_Multi-EPI技術，具有600V的漏極-源極電壓（VDS）和11A的漏極電流（ID）能力。該產(chǎn)品在TO3P封裝中提供，適用于需要較高電壓和電流的功率電子應用。

### 參數(shù)說明：

- 封裝：TO3P
- 構型：單N溝道
- 漏極-源極電壓（VDS）：600V
- 柵極-源極電壓（VGS）：±30V
- 閾值電壓（Vth）：3.5V
- 導通電阻（RDS(ON)）：380mΩ @ VGS=10V
- 漏極電流（ID）：11A
- 技術：SJ_Multi-EPI

### 應用領域和模塊：

1. **電源模塊**：13N50W-VB適用于高壓高電流的開關電源模塊，如DC-DC變換器和AC-DC變換器，提供穩(wěn)定可靠的電力輸出。

2. **工業(yè)控制**：在工業(yè)控制設備中，這款MOSFET可用于逆變器、電源管理單元等模塊，提供可靠的功率控制和轉(zhuǎn)換。

3. **電動汽車**：在電動汽車中，這款MOSFET可以用于電機驅(qū)動器、電池管理系統(tǒng)等模塊，提供高效率和可靠性。

4. **電池管理**：13N50W-VB可用于電池充放電控制、保護等模塊，支持高功率密度和能效。

5. **光伏逆變器**：適用于太陽能光伏逆變器，幫助將太陽能轉(zhuǎn)化為可用的電能。

以上是對13N50W-VB MOSFET產(chǎn)品的產(chǎn)品簡介、詳細參數(shù)說明以及適用領域和模塊的介紹。