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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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147N12N-VB TO262一款N-Channel溝道TO262的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): 147N12N-VB TO262
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO262封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 147N12N-VB TO262 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

147N12N-VB 是一款由 VBsemi 推出的單N溝道 MOSFET,采用 TO262 封裝技術(shù)。該器件具有 100V 的漏源電壓 (VDS) 和 ±20V 的柵源電壓 (VGS),閾值電壓 (Vth) 為 2.5V。在柵源電壓為 4.5V 時(shí),其導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 為 10mΩ,在柵源電壓為 10V 時(shí)為 9mΩ。這款 MOSFET 采用 Trench 技術(shù)制造,具備較低的導(dǎo)通電阻和較高的電流處理能力,適用于一些高功率的應(yīng)用場(chǎng)合。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

| 參數(shù) | 規(guī)格 |
| --- | --- |
| 產(chǎn)品型號(hào) | 147N12N-VB |
| 封裝 | TO262 |
| 配置 | 單N溝道 |
| 漏源電壓 (VDS) | 100V |
| 柵源電壓 (VGS) | ±20V |
| 閾值電壓 (Vth) | 2.5V |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) | 10mΩ @ VGS=4.5V, 9mΩ @ VGS=10V |
| 連續(xù)漏極電流 (ID) | 100A |
| 技術(shù) | Trench |

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

147N12N-VB 這款 MOSFET 可適用于一些高功率的應(yīng)用場(chǎng)合,例如:

1. **電源管理模塊**
  - 適用于高功率的開(kāi)關(guān)電源和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器,提供高效的能量轉(zhuǎn)換和電流控制。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**
  - 可用作電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的關(guān)鍵開(kāi)關(guān)元件,提供高功率的電機(jī)控制功能。

3. **電動(dòng)汽車(chē)充電系統(tǒng)**
  - 可用作電動(dòng)汽車(chē)充電系統(tǒng)中的關(guān)鍵開(kāi)關(guān)元件,確保充電系統(tǒng)的高功率安全和穩(wěn)定性。

4. **工業(yè)高頻電源**
  - 適用于一些工業(yè)高頻電源中的關(guān)鍵開(kāi)關(guān)元件,提供高頻操作和高功率能力。

通過(guò)以上示例,可以看出 147N12N-VB MOSFET 在一些高功率的應(yīng)用場(chǎng)合具備較好的性能和穩(wěn)定性,是許多高功率電子系統(tǒng)中的重要組成部分。

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