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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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150N03MD-VB一款N+N-Channel溝道SOP8的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): 150N03MD-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOP8封裝
  • 溝道 N+N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 150N03MD-VB SOP8 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**產(chǎn)品概述**:
150N03MD-VB 是一款雙N溝道+N溝道功率MOSFET,采用Trench技術(shù)制造,適用于低壓范圍內(nèi)的功率控制應(yīng)用。其封裝為SOP8,具有良好的散熱性能和高可靠性。

**產(chǎn)品特點(diǎn)**:
- **低電壓承受能力**:VDS為30V,適用于低壓范圍內(nèi)的應(yīng)用。
- **高柵極電壓**:VGS為±20V,提供設(shè)計(jì)靈活性。
- **低閾值電壓**:Vth為1.7V,適中的驅(qū)動(dòng)要求。
- **低導(dǎo)通電阻**:RDS(ON)為20mΩ@VGS=4.5V,16mΩ@VGS=10V,提高效率,降低功耗。
- **適度的電流能力**:ID為8.5A,適用于中功率應(yīng)用。

### 150N03MD-VB SOP8 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝**:SOP8
- **配置**:雙N溝道+N溝道
- **漏源極電壓(VDS)**:30V
- **柵源極電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:20mΩ@VGS=4.5V,16mΩ@VGS=10V
- **連續(xù)漏極電流(ID)**:8.5A
- **技術(shù)**:Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

**電源管理**:
150N03MD-VB 可用于低壓電源管理模塊中的功率開關(guān)元件,用于實(shí)現(xiàn)高效率的低壓電源轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的低壓電壓輸出。

**車載電子**:
在車載電子設(shè)備中,可用于低壓電源開關(guān)和驅(qū)動(dòng)控制,如汽車音響系統(tǒng)、車載充電器等領(lǐng)域。

**消費(fèi)電子**:
適用于低壓消費(fèi)電子產(chǎn)品中的功率開關(guān)元件,如手機(jī)充電器、電池管理系統(tǒng)等領(lǐng)域。

**LED照明**:
可用于低壓LED照明系統(tǒng)中的功率開關(guān)元件,實(shí)現(xiàn)LED照明系統(tǒng)的高效率和穩(wěn)定性。

通過(guò)以上應(yīng)用實(shí)例,可以看出150N03MD-VB 在低壓范圍內(nèi)有著廣泛的應(yīng)用前景,能夠滿足低壓范圍內(nèi)的高性能和高可靠性需求。

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