### 15N60L-T47-T-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

VBsemi 15N60L-T47-T-VB 是一款單N溝道MOSFET，采用Plannar工藝制造，具有高電壓承受能力和低導(dǎo)通電阻。該器件封裝為TO247，適用于需要高性能和高可靠性的高壓電力轉(zhuǎn)換和控制應(yīng)用。

### 15N60L-T47-T-VB MOSFET 參數(shù)說明

- **型號**: 15N60L-T47-T-VB
- **封裝**: TO247
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 430mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 18A
- **技術(shù)**: Plannar

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

1. **電力電子模塊**:
  - **應(yīng)用**: 適用于高壓直流-直流轉(zhuǎn)換器、電力因特網(wǎng)和UPS等高壓電力轉(zhuǎn)換設(shè)備。
  - **優(yōu)勢**: 高漏源電壓和低導(dǎo)通電阻，能夠在高壓環(huán)境下實現(xiàn)高效率的電能轉(zhuǎn)換。

2. **工業(yè)控制模塊**:
  - **應(yīng)用**: 用于工業(yè)自動化控制系統(tǒng)中的高壓電機控制、變頻器和電力調(diào)節(jié)器等。
  - **優(yōu)勢**: 高可靠性和穩(wěn)定性，適應(yīng)工業(yè)環(huán)境中的高溫和高壓需求，確保設(shè)備的可靠運行。

3. **新能源領(lǐng)域模塊**:
  - **應(yīng)用**: 用于風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)、光伏逆變器和電動汽車充電樁等。
  - **優(yōu)勢**: 高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻，提供可靠的電力轉(zhuǎn)換和控制，促進新能源產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

4. **醫(yī)療設(shè)備模塊**:
  - **應(yīng)用**: 適用于醫(yī)療影像設(shè)備、激光治療設(shè)備和高頻電療設(shè)備等。
  - **優(yōu)勢**: 高性能和可靠性，確保醫(yī)療設(shè)備在長時間工作中的穩(wěn)定性和安全性。

VBsemi 的 15N60L-T47-T-VB MOSFET 通過其高性能和多功能性，為各種高壓電力轉(zhuǎn)換和控制應(yīng)用提供了可靠的解決方案。