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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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17N80C3-VB TO220F一種N-Channel溝道TO220F封裝MOS管

型號(hào): 17N80C3-VB TO220F
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220F封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

VBsemi 17N80C3-VB TO220F 是一款高性能的單N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET),采用SJ_Multi-EPI 技術(shù),具有高電壓耐受和低導(dǎo)通電阻的特性,適用于高功率應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號(hào)**: 17N80C3-VB
- **封裝**: TO220F
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 800V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 205mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 20A
- **技術(shù)**: SJ_Multi-EPI

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

#### 電源管理
17N80C3-VB TO220F 適用于高功率開關(guān)電源(SMPS)、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和功率因數(shù)校正(PFC)等應(yīng)用。其低導(dǎo)通電阻和高漏極電流能力有助于提高系統(tǒng)效率和穩(wěn)定性。

#### 工業(yè)電子
在工業(yè)控制領(lǐng)域,該MOSFET可用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、高功率開關(guān)和逆變器等應(yīng)用。其高電壓耐受和高電流能力使其能夠應(yīng)對(duì)工業(yè)環(huán)境中的各種高功率負(fù)載需求。

#### 照明系統(tǒng)
17N80C3-VB TO220F 也可應(yīng)用于高壓LED驅(qū)動(dòng)器和電源模塊,以提供高效率的照明解決方案。其高漏極電流和低導(dǎo)通電阻有助于降低系統(tǒng)的能耗并提高照明質(zhì)量。

#### 電動(dòng)車充電樁
在電動(dòng)車充電樁中,該型號(hào)MOSFET可用于高功率控制和電池管理系統(tǒng),具有高效率和高功率處理能力,確保充電樁的穩(wěn)定性和安全性。

總之,VBsemi 17N80C3-VB TO220F MOSFET 適用于各種高功率高壓應(yīng)用,具有優(yōu)異的性能和穩(wěn)定性,是工業(yè)、電源管理和電動(dòng)車充電樁等領(lǐng)域的理想選擇。

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