**17N80C3-VB TO263 產(chǎn)品簡介：**

17N80C3-VB TO263 是一款單通道 N 溝道 MOSFET，具有800V 的漏極-源極電壓（VDS），30V（±V）的柵極-源極電壓（VGS），和3.5V 的閾值電壓（Vth）。它采用了 SJ_Multi-EPI 技術制造，具有高性能和可靠性，適用于各種應用場合。

**17N80C3-VB TO263 詳細參數(shù)說明：**

- 漏極-源極電壓（VDS）：800V
- 柵極-源極電壓（VGS）：30V（±V）
- 閾值電壓（Vth）：3.5V
- 導通電阻（RDS(ON)）：160mΩ @ VGS=10V
- 漏極電流（ID）：20A
- 技術：SJ_Multi-EPI

**適用領域和模塊示例：**

1. **電源模塊**：17N80C3-VB TO263 可以用作高壓電源開關，適用于需要高漏極-源極電壓和漏極電流的應用，如工業(yè)電源、電力電子設備等。
2. **逆變器模塊**：在需要高功率密度和可靠性的應用中，如太陽能逆變器、工業(yè)控制逆變器等領域，17N80C3-VB TO263 可以作為功率開關器件的一部分。
3. **電動汽車充電樁**：由于其高漏極-源極電壓和漏極電流能力，17N80C3-VB TO263 可以用于電動汽車充電樁中的功率開關部分，確保充電效率和安全性。
4. **高壓直流傳輸**：在高壓直流輸電系統(tǒng)中，17N80C3-VB TO263 可以用于開關模塊，實現(xiàn)高效率的電力傳輸。

這些示例僅代表了一部分應用領域，實際上，17N80C3-VB TO263 在許多其他領域和模塊中都有廣泛的應用。