### 17P06-VB TO252 MOSFET 產品簡介

**產品簡介：**

VBsemi的17P06-VB是一款高性能的單N溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET），采用了先進的溝槽技術制造。它具有較低的導通電阻（RDS(ON)），適用于100V的漏源電壓（VDS），可提供穩(wěn)定可靠的功率開關性能。

### 17P06-VB TO252 MOSFET 詳細參數(shù)說明

**封裝類型：** TO252  
**配置：** 單N溝道  
**漏源電壓 (VDS)：** 100V  
**柵源電壓 (VGS)：** 20（±V）  
**閾值電壓 (Vth)：** 1.8V  
**導通電阻 (RDS(ON))：** 
  - 57mΩ@VGS=4.5V
  - 55mΩ@VGS=10V
**漏極電流 (ID)：** 25A  
**技術：** 溝槽

### 17P06-VB TO252 MOSFET 適用領域和模塊

**應用領域：**

1. **電源逆變器：** 
  - 由于其低導通電阻和高漏源電壓特性，適用于各種電源逆變器中，可提供高效的能量轉換和穩(wěn)定的電源輸出。

2. **電動汽車控制：**
  - 適用于電動汽車的電機控制和電池管理系統(tǒng)，能夠支持高功率和高效能的電動汽車運行。

3. **工業(yè)自動化：**
  - 在工業(yè)控制系統(tǒng)中，可用于各種功率開關模塊，如變頻器和伺服驅動器，提供穩(wěn)定的電流控制和高效的能量轉換。

4. **照明應用：**
  - 適用于LED照明驅動器和其他高功率照明應用中的功率開關模塊，提供高效能的照明解決方案。

5. **電源管理系統(tǒng)：**
  - 可用于各種電源管理系統(tǒng)中的功率開關模塊，支持高效的能量管理和穩(wěn)定的電源輸出。

通過這些應用實例，可以看出17P06-VB TO252 MOSFET在多個領域和模塊上都能提供高效能的功率開關解決方案，滿足不同應用場景的需求。